Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (6845)
IRFB3077PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120А 370Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 3.3 мОм Мощность макс.: 370Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 220нКл Входная емкость: 9400пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFB3206GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A TO220AB Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3 мОм @ 75А, 10В Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA Заряд затвора: 170нКл @ 10В Входная емкость: 6540пФ @ 50В Тип монтажа: Through Hole
IRFB3207PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 180A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 170A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 260нКл Входная емкость: 7600пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFB3306GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 160A TO-220AB Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.2 мОм @ 75А, 10В Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA Заряд затвора: 120нКл @ 10В Входная емкость: 4520пФ @ 50В Тип монтажа: Through Hole
IRFB3307PBF Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 130 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 130A Сопротивление открытого канала: 6.3 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 180нКл Входная емкость: 5150пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFB3407ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный Si 75В 122A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 122А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
IRFB4110GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120A TO220AB Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм @ 75А, 10В Мощность макс.: 370Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 210нКл @ 10В Входная емкость: 9620пФ @ 50В Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFB4115PBF Транзистор полевой N-канальный 150В 104А 380Вт Производитель: UMW Youtai Semiconductor Корпус: TO-220
Акция IRFB41N15DPBF Транзистор полевой N-канальный 150В 41A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB
IRFB4212PBF Транзистор полевой N-канальный 100В 18A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 72.5 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFB4233PBF Транзистор полевой N-канальный 230В 56А 370Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 230В Ток стока макс.: 56A Сопротивление открытого канала: 37 мОм Мощность макс.: 370Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 170нКл Входная емкость: 5510пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFB4615PBF Транзистор полевой N-канальный 150В 35A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 39 мОм Мощность макс.: 144Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 1750пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFB59N10DPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 59A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 59A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 114нКл Входная емкость: 2450пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFB61N15DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 60А 330Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 32 мОм Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 140нКл Входная емкость: 3470пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFB7440GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A TO220AB Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм @ 100А, 10В Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В @ 100 µA Заряд затвора: 135нКл @ 10В Входная емкость: 4730пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
IRFB7546PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 75A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 7.3 мОм Мощность макс.: 99Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 87нКл Входная емкость: 3000пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFB7740PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 87A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 87A Сопротивление открытого канала: 7.3 мОм Мощность макс.: 143Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 122нКл Входная емкость: 4650пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFB7746PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 59A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 59A Сопротивление открытого канала: 10.6 мОм Мощность макс.: 99Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 83нКл Входная емкость: 3049пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFB812PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 3.6A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 2.2 Ом Мощность макс.: 78Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 810пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFB9N60APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 9.2А 170Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 9.2A Сопротивление открытого канала: 750 мОм Мощность макс.: 170Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 49нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68495 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"