Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
IRFB260N
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 56A
Производитель: UMW Youtai Semiconductor
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 56А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Through Hole
IRFB3006GPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195A TO220AB
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 195A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм @ 170А, 10В
Мощность макс.: 375Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA
Заряд затвора: 300нКл @ 10В
Входная емкость: 8970пФ @ 50В
Тип монтажа: Through Hole
IRFB3206GPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A TO220AB
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 120A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 3 мОм @ 75А, 10В
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA
Заряд затвора: 170нКл @ 10В
Входная емкость: 6540пФ @ 50В
Тип монтажа: Through Hole
IRFB3307PBF
Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 130 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 130A
Сопротивление открытого канала: 6.3 мОм
Мощность макс.: 250Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 180нКл
Входная емкость: 5150пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFB3407ZPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный Si 75В 122A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB туба
Производитель: Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 122А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Through Hole
IRFB4110GPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120A TO220AB
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 120A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм @ 75А, 10В
Мощность макс.: 370Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA
Заряд затвора: 210нКл @ 10В
Входная емкость: 9620пФ @ 50В
Тип монтажа: Through Hole
IRFB4115PBF
Транзистор полевой N-канальный 150В 104А 380Вт
Производитель: UMW Youtai Semiconductor
Корпус: TO-220
IRFB41N15DPBF
Транзистор полевой N-канальный 150В 41A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220AB
IRFB4212PBF
Транзистор полевой N-канальный 100В 18A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 18A
Сопротивление открытого канала: 72.5 мОм
Мощность макс.: 60Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 23нКл
Входная емкость: 550пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFB4233PBF
Транзистор полевой N-канальный 230В 56А 370Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 230В
Ток стока макс.: 56A
Сопротивление открытого канала: 37 мОм
Мощность макс.: 370Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 170нКл
Входная емкость: 5510пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFB4615PBF
Транзистор полевой N-канальный 150В 35A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 35A
Сопротивление открытого канала: 39 мОм
Мощность макс.: 144Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 26нКл
Входная емкость: 1750пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFB59N10DPBF
Транзистор полевой N-канальный 100В 59A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 59A
Сопротивление открытого канала: 25 мОм
Мощность макс.: 3.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В
Заряд затвора: 114нКл
Входная емкость: 2450пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFB61N15DPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 60А 330Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220 Isolated Tab
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 60A
Сопротивление открытого канала: 32 мОм
Мощность макс.: 2.4Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В
Заряд затвора: 140нКл
Входная емкость: 3470пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFB7440GPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A TO220AB
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 120A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм @ 100А, 10В
Мощность макс.: 208Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В @ 100 µA
Заряд затвора: 135нКл @ 10В
Входная емкость: 4730пФ @ 25В
Тип монтажа: Through Hole
IRFB7546PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 75A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 75A
Сопротивление открытого канала: 7.3 мОм
Мощность макс.: 99Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В
Заряд затвора: 87нКл
Входная емкость: 3000пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFB7740PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 87A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 87A
Сопротивление открытого канала: 7.3 мОм
Мощность макс.: 143Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В
Заряд затвора: 122нКл
Входная емкость: 4650пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFB7746PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 59A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 59A
Сопротивление открытого канала: 10.6 мОм
Мощность макс.: 99Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В
Заряд затвора: 83нКл
Входная емкость: 3049пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFB812PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 3.6A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 3.6A
Сопротивление открытого канала: 2.2 Ом
Мощность макс.: 78Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 20нКл
Входная емкость: 810пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFB9N60APBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 9.2А 170Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 9.2A
Сопротивление открытого канала: 750 мОм
Мощность макс.: 170Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 49нКл
Входная емкость: 1400пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFB9N65APBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 8.5А 167Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 8.5A
Сопротивление открытого канала: 930 мОм
Мощность макс.: 167Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 48нКл
Входная емкость: 1417пФ
Тип монтажа: Through Hole
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69825 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.