Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (6845)
Акция IRF9Z14SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 6.7A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 6.7A Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 270пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF9Z14STRLPBF Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 6.7 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 6.7A Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 270пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF9Z20PBF Полевой транзистор, P-канальный, 50 В, 9.7 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 9.7A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 480пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF9Z24NSPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 12A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 175 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF9Z24NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 12A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 175 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRF9Z24PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 11А 60Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 570пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF9Z24SPBF Транзистор полевой P-канальный 60В 11A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 570пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRF9Z24STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 11A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 570пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF9Z30PBF Транзистор полевой P-канальный 50В 18A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 140 мОм Мощность макс.: 74Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF9Z34NSTRRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 620пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
4 419 шт
Цена от:
от 54,85
Акция IRF9Z34PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 18А 88Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 140 мОм Мощность макс.: 88Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRF9Z34SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 18A 3,7Вт Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 140 мОм Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF9Z34STRRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 18A 3,7Вт Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 18А Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: P-канальный Тип монтажа: Surface Mount
IRFB11N50APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 11А 170Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 520 мОм Мощность макс.: 170Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 52нКл Входная емкость: 1423пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFB13N50APBF Транзистор полевой N-канальный 500В 14А 250Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 450 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 81нКл Входная емкость: 1910пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFB17N50LPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 16А, 220Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 320 мОм Мощность макс.: 220Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 2760пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFB18N50KPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 17А 220Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 17A Мощность макс.: 220Вт Тип транзистора: N-канал
IRFB20N50KPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20А 280Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 250 мОм Мощность макс.: 280Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 2870пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFB260N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 56A Производитель: UMW Youtai Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 56А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 791 шт
Цена от:
от 126,83
IRFB3006GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195A TO220AB Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 195A(Tc) Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм @ 170А, 10В Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 300нКл @ 10В Входная емкость: 8970пФ @ 50В Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68495 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"