Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
IRF9540NLPBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 23A TO262-3
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: I2PAK
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 23A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 117 мОм @ 14А, 10В
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA
Заряд затвора: 110нКл @ 10В
Входная емкость: 1450пФ @ 25В
Тип монтажа: Through Hole
IRF9540NSPBF
Транзистор полевой P-канальный 100В 23А 110Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 23A
Сопротивление открытого канала: 117 мОм
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 110нКл
Входная емкость: 1450пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF9540NSTRRPBF
Полевой транзистор, P-канальный, 100 В, 23 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
IRF9540PBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 19А 150Вт, 0.2 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 19A
Сопротивление открытого канала: 200 мОм
Мощность макс.: 150Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 61нКл
Входная емкость: 1400пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRF9540SPBF
Транзистор полевой P-канальный 100В 19A 150Вт
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 19A
Сопротивление открытого канала: 200 мОм
Мощность макс.: 3.7Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 61нКл
Входная емкость: 1400пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF9540STRLPBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 19A
Производитель: Vishay
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 19A
Сопротивление открытого канала: 200 мОм
Мощность макс.: 3.7Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 61нКл
Входная емкость: 1400пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF9540STRRPBF
Полевой транзистор P-канальный 100В 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
IRF9610PBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 6.8А 60Вт, 0.6 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 1.8A
Сопротивление открытого канала: 3 Ом
Мощность макс.: 20Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 11нКл
Входная емкость: 170пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRF9610SPBF
Полевой транзистор, P-канальный, 200 В, 1.8 А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 1.8A
Сопротивление открытого канала: 3 Ом
Мощность макс.: 3Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 11нКл
Входная емкость: 170пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF9620PBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 3.5А 40Вт, 1.5 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 3.5A
Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом
Мощность макс.: 40Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 22нКл
Входная емкость: 350пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRF9620STRLPBF
Полевой транзистор, P-канальный, 200 В, 3.5 А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 3.5A
Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом
Мощность макс.: 3Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 22нКл
Входная емкость: 350пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF9622PBF
Полевой транзистор, P-канальный, 200 В, 3.5 А, 40 Вт, 1.5 Ом
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220
IRF9630PBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 6.8А 74Вт, 0.8 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 6.5A
Сопротивление открытого канала: 800 мОм
Мощность макс.: 74Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 29нКл
Входная емкость: 700пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRF9630SPBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 6.5A
Производитель: Vishay
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 6.5A
Сопротивление открытого канала: 800 мОм
Мощность макс.: 3Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 29нКл
Входная емкость: 700пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF9630STRLPBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 6.5A
Производитель: Vishay
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 6.5A
Сопротивление открытого канала: 800 мОм
Мощность макс.: 3Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 29нКл
Входная емкость: 700пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF9640PBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11А 125Вт, 0.5 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 11A
Сопротивление открытого канала: 500 мОм
Мощность макс.: 125Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 44нКл
Входная емкость: 1200пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRF9640SPBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11А 125Вт, 0.5 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 11A
Сопротивление открытого канала: 500 мОм
Мощность макс.: 3Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 44нКл
Входная емкость: 1200пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF9640STRLPBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11А 125Вт
Производитель: Vishay
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 11A
Сопротивление открытого канала: 500 мОм
Мощность макс.: 3Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 44нКл
Входная емкость: 1200пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF9640STRRPBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11A
Производитель: Vishay
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 11A
Сопротивление открытого канала: 500 мОм
Мощность макс.: 3Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 44нКл
Входная емкость: 1200пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69825 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.