Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (6828)
IRF9530STRRPBF Полевой транзистор, P-канальный, 100 В, 12 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263
IRF9540 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 19A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 19А Тип транзистора: P-канальный
IRF9540NLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 23A TO262-3 Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 23A(Tc) Сопротивление открытого канала: 117 мОм @ 14А, 10В Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 110нКл @ 10В Входная емкость: 1450пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
Акция IRF9540NSPBF Транзистор полевой P-канальный 100В 23А 110Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 23A Сопротивление открытого канала: 117 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 1450пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
905 шт
Цена от:
от 34,20
IRF9540NSTRRPBF Полевой транзистор, P-канальный, 100 В, 23 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263
Наличие:
0 шт.

Под заказ:
0 шт.
Аналоги:
905 шт.
Цена от:
от 50,03
IRF9540PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 19А 150Вт, 0.2 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 61нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF9540SPBF Транзистор полевой P-канальный 100В 19A 150Вт Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 61нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF9540STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 19A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 61нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF9540STRRPBF Полевой транзистор P-канальный 100В 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263
IRF9610PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 6.8А 60Вт, 0.6 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 20Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 170пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF9610SPBF Полевой транзистор, P-канальный, 200 В, 1.8 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 170пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRF9620PBF Полевой транзистор, P-канальный, 200 В, 3.5 А, 40 Вт, 1.5 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB
IRF9620PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 3.5А 40Вт, 1.5 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF9620STRLPBF Полевой транзистор, P-канальный, 200 В, 3.5 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRF9622PBF Полевой транзистор, P-канальный, 200 В, 3.5 А, 40 Вт, 1.5 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220
IRF9630PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 6.8А 74Вт, 0.8 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 6.5A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 74Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF9630SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 6.5A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 6.5A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF9630STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 6.5A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 6.5A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF9640PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11А 125Вт, 0.5 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF9640SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11А 125Вт, 0.5 Ом Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7128 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"