Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
IRF9333PBF
Транзистор полевой P-канальный 30В 9.2А 2.5Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: Multiwatt
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 9.2A
Сопротивление открытого канала: 19.4 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В
Заряд затвора: 38нКл
Входная емкость: 1110пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF9383MTRPBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 22A DIRECTFET
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DIRECTFET[тм] MX
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 22A(Ta),160A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 2.9 мОм @ 22А, 10В
Мощность макс.: 2.1Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В @ 150 µA
Заряд затвора: 130нКл @ 10В
Входная емкость: 7305пФ @ 15В
Тип монтажа: Surface Mount
IRF9388PBF
Транзистор полевой P-канальный 30В 12A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 12A
Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В
Заряд затвора: 52нКл
Входная емкость: 1680пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF9410TRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 7A 8-SOIC
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 7A(Ta)
Сопротивление открытого канала: 30 мОм @ 7А, 10В
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В @ 250 µA
Заряд затвора: 27нКл @ 10В
Входная емкость: 550пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
IRF9510PBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 4А 20Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 4A
Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом
Мощность макс.: 43Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 8.7нКл
Входная емкость: 200пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRF9510SPBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 4A
Производитель: Vishay
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 4A
Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом
Мощность макс.: 3.7Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 8.7нКл
Входная емкость: 200пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF9510STRLPBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 4A
Производитель: Vishay
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 4A
Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом
Мощность макс.: 3.7Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 8.7нКл
Входная емкость: 200пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF9510STRRPBF
Полевой транзистор P-канальный 100В 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
IRF9520NSPBF
Полевой транзистор, P-канальный, 100 В, 6.8 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 6.8A
Сопротивление открытого канала: 480 мОм
Мощность макс.: 3.8Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 27нКл
Входная емкость: 350пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF9520PBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 6.8A. 40Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 6.8A
Сопротивление открытого канала: 600 мОм
Мощность макс.: 60Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 18нКл
Входная емкость: 390пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRF9520SPBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 6.8A
Производитель: Vishay
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 6.8A
Сопротивление открытого канала: 600 мОм
Мощность макс.: 3.7Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 18нКл
Входная емкость: 390пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF9520STRLPBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 6.8A
Производитель: Vishay
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 6.8A
Сопротивление открытого канала: 600 мОм
Мощность макс.: 3.7Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 18нКл
Входная емкость: 390пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF9520STRRPBF
Полевой транзистор, P-канальный, 100 В, 6.8 А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
IRF9530NPBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 14А 79Вт, 0.2 Ом
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 14A
Сопротивление открытого канала: 200 мОм
Мощность макс.: 79Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 58нКл
Входная емкость: 760пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRF9530NSPBF
Транзистор полевой P-канальный 100В 14А 79Вт, 0.2 Ом
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
IRF9530PBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 12А 88Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 12A
Сопротивление открытого канала: 300 мОм
Мощность макс.: 88Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 38нКл
Входная емкость: 860пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRF9530SPBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 12А 88Вт, 0.3 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 12A
Сопротивление открытого канала: 300 мОм
Мощность макс.: 3.7Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 38нКл
Входная емкость: 860пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF9530STRLPBF
Транзистор полевой P-канальный 100В 12A
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 12A
Сопротивление открытого канала: 300 мОм
Мощность макс.: 3.7Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 38нКл
Входная емкость: 860пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF9530STRRPBF
Полевой транзистор, P-канальный, 100 В, 12 А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
IRF9540
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 19A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 19А
Тип транзистора: P-канальный
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68495 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.