Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (4)
Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1326)

FDMS86200 Транзистор полевой N-канальный 150В Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 9.6A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 2715пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS86201 Полевой транзистор, N-канальный, 120 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 120В Ток стока макс.: 11.6A Сопротивление открытого канала: 11.5 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 2735пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS8622 Транзистор полевой N-канальный 100В 4.8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 4.8A Сопротивление открытого канала: 56 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 7нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS86250 Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 6.7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 6.7A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 2330пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS86252 Транзистор полевой N-канальный 150В 16A Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 4.6A Сопротивление открытого канала: 51 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 905пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS86263P Транзистор полевой P-канальный 150В 22A Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 4.4A Сопротивление открытого канала: 53 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 3905пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN8601 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 2.7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 109 мОм Мощность макс.: 600мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 5нКл Входная емкость: 210пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN86246 Транзистор полевой N-канальный 150В 1.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 1.6A Сопротивление открытого канала: 261 мОм Мощность макс.: 600мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 5нКл Входная емкость: 225пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDP030N06B_F102 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 120 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 3.1 мОм Мощность макс.: 205Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 99нКл Входная емкость: 8030пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP036N10A Полевой транзистор, N-канальный, 100 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 3.6 мОм Мощность макс.: 227Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 116нКл Входная емкость: 7295пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP045N10A_F102 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 120 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 263Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 74нКл Входная емкость: 5270пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP047AN08A0 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 80 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 4.7 мОм Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 138нКл Входная емкость: 6600пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP050AN06A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 80А 245Вт, 4,3 мОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 5 мОм Мощность макс.: 245Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 3900пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP060AN08A0 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 80 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 255Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 95нКл Входная емкость: 5150пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP075N15A_F102 Транзистор полевой N-канальный 150В 130A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 130A Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм Мощность макс.: 333Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 100нКл Входная емкость: 7350пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP083N15A_F102 Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 83 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 83A Сопротивление открытого канала: 8.3 мОм Мощность макс.: 231Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 84нКл Входная емкость: 6040пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP085N10A-F102 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 96 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 96A Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм Мощность макс.: 188Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 2695пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP150N10A_F102 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 50 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 91Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 1440пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP16AN08A0 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 58 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1857пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP2552 Транзистор полевой N-канальный 150В 37A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 36 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 2800пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68495 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"