Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1580)
CSD16409Q3 Транзистор полевой N-канальный 25В 60A Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 8.2 мОм Мощность макс.: 2.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 5.6нКл Входная емкость: 800пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD17309Q3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 60 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 5.4 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.7В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 1440пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD17312Q5 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 100 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 38A Сопротивление открытого канала: 1.5 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 5240пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD17313Q2-Q1 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 5 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В Заряд затвора: 2.7нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD17381F4T Транзистор полевой N-канальный 30В 3.1A Производитель: Texas Instruments Корпус: SON3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 109 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 1.35нКл Входная емкость: 195пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD17506Q5A Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 100 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8EP Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 4 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 1650пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD17552Q3A Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 15 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 2.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.9В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 2050пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD17552Q5A Транзистор полевой N-канальный 30В 17A Производитель: Texas Instruments Корпус: 8-VSON (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 6.2 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.9В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 2050пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD17559Q5 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 100 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8EP Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 1.15 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.7В Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 9200пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD17577Q3AT Полевой транзистор N-канальный 30В 35A 8-Pin VSONP EP лента на катушке Производитель: Texas Instruments Корпус: 8-VSONP (3x3.15) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 35A(Ta) Сопротивление открытого канала: 4.8 мОм @ 16А, 10В Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В @ 250 µA Заряд затвора: 35нКл @ 10В Входная емкость: 2310пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount
CSD17579Q3A Транзистор полевой N-канальный 30В 35A QFN Производитель: Texas Instruments Корпус: 8-VSONP (3x3.15) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 20A(Ta) Сопротивление открытого канала: 10.2 мОм @ 8А, 10В Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.9В @ 250 µA Заряд затвора: 15нКл @ 10В Входная емкость: 998пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount
CSD18501Q5A Транзистор полевой N-канальный 40В Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8EP Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 3.2 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 3840пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD18503Q5A Полевой транзистор, N-канальный, 40 В Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8EP Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 4.3 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 2640пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD18504KCS Транзистор полевой N-канальный 40В Производитель: Texas Instruments Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 53A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 93Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Through Hole
CSD18504Q5A Транзистор полевой N-канальный 40В Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8EP Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 6.6 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 1656пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD18531Q5A Полевой транзистор N-канальный 60В 100A 8-Pin VSONP EP лента на катушке Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8EP Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 19A(Ta),100A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.6 мОм @ 22А, 10В Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В @ 250 µA Заряд затвора: 43нКл @ 10В Входная емкость: 3840пФ @ 30В Тип монтажа: Surface Mount
CSD18532KCS Полевой транзистор N-канальный 60В 100A TO220-3 Производитель: Texas Instruments Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 100A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.2 мОм @ 100А, 10В Мощность макс.: 216Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В @ 250 µA Заряд затвора: 53нКл @ 10В Входная емкость: 4680пФ @ 30В Тип монтажа: Through Hole
CSD18533Q5A Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 17 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8EP Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 5.9 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 2750пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD18534Q5AT Транзистор полевой N-канальный 60В Производитель: Texas Instruments Корпус: 8-VSON (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 9.8 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 1770пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD18537NQ5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A VSONP-8 Производитель: Texas Instruments Корпус: 8-SON (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 11A(Ta),50A(Tc) Сопротивление открытого канала: 13 мОм @ 12А, 10В Мощность макс.: 75Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В @ 250 µA Заряд затвора: 18нКл @ 10В Входная емкость: 1480пФ @ 30В Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"