Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (572)
IRFUC20PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2А 42Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-251AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 4.4 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Through Hole
IXFH22N60P Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 22A TO-247 Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 22А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
IXFK80N60P3 Транзистор полевой N-канальный 600В 80A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-264 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 1300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 190нКл Входная емкость: 13100пФ Тип монтажа: Through Hole
IXFN110N60P3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 90 А, 1500 Вт Производитель: IXYS Corporation Корпус: SOT-227 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 90А Мощность макс.: 1500Вт Тип транзистора: N-канальный
IXFX64N60P Полевой транзистор N-канальный 600В 64A PLUS247 Производитель: IXYS Corporation Корпус: PLUS247[тм]-3 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 64A(Tc) Сопротивление открытого канала: 96 мОм @ 500mА, 10В Мощность макс.: 1040Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 8mA Заряд затвора: 200нКл @ 10В Входная емкость: 12000пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
IXTH10P60 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 600В 10A TO-247AD Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-247AD Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 10A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1 Ом @ 5А, 10В Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 160нКл @ 10В Входная емкость: 4700пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
JCS10N60FT Транзистор полевой N-канальный 600В 9.5А 50Вт Производитель: JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 9.5A Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал
MMF60R580P Транзистор полевой N-канальный 600В 8А 26Вт Производитель: Magna Chip Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 8A Мощность макс.: 26Вт Тип транзистора: N-канал
NDD04N60ZT4G Транзистор полевой N-канальный 600В 4.1A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 640пФ Тип монтажа: Surface Mount
NDF06N60ZG Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 7.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 7.1A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 47нКл Входная емкость: 1107пФ Тип монтажа: Through Hole
SIHB12N60E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 12 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 147Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 937пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIHB15N60E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 15 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 180Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 78нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIHB22N60E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 21 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 227Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 86нКл Входная емкость: 1920пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIHB30N60E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 29 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 29A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 2600пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIHB33N60E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 33 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 99 мОм Мощность макс.: 278Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 150нКл Входная емкость: 3508пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIHF12N60E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 12 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 33Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 937пФ Тип монтажа: Through Hole
SIHF15N60E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 15 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 34Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 78нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Through Hole
SIHF22N60E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 21 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 86нКл Входная емкость: 1920пФ Тип монтажа: Through Hole
SIHF30N60E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 29 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 29A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 37Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 2600пФ Тип монтажа: Through Hole
SIHFRC20TR-GE3 Транзистор полевой N-канальный 600В 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 2A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"