Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
IRFUC20PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2А 42Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-251AA
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 2A
Сопротивление открытого канала: 4.4 Ом
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 18нКл
Входная емкость: 350пФ
Тип монтажа: Through Hole
IXFH22N60P
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 22A TO-247
Производитель: IXYS Corporation
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 22А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Through Hole
IXFK80N60P3
Транзистор полевой N-канальный 600В 80A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
Производитель: IXYS Corporation
Корпус: TO-264
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 80A
Сопротивление открытого канала: 70 мОм
Мощность макс.: 1300Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 190нКл
Входная емкость: 13100пФ
Тип монтажа: Through Hole
IXFN110N60P3
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 90 А, 1500 Вт
Производитель: IXYS Corporation
Корпус: SOT-227
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 90А
Мощность макс.: 1500Вт
Тип транзистора: N-канальный
IXFX64N60P
Полевой транзистор N-канальный 600В 64A PLUS247
Производитель: IXYS Corporation
Корпус: PLUS247[тм]-3
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 64A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 96 мОм @ 500mА, 10В
Мощность макс.: 1040Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 8mA
Заряд затвора: 200нКл @ 10В
Входная емкость: 12000пФ @ 25В
Тип монтажа: Through Hole
IXTH10P60
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 600В 10A TO-247AD
Производитель: IXYS Corporation
Корпус: TO-247AD
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 10A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 1 Ом @ 5А, 10В
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA
Заряд затвора: 160нКл @ 10В
Входная емкость: 4700пФ @ 25В
Тип монтажа: Through Hole
JCS10N60FT
Транзистор полевой N-канальный 600В 9.5А 50Вт
Производитель: JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 9.5A
Мощность макс.: 50Вт
Тип транзистора: N-канал
MMF60R580P
Транзистор полевой N-канальный 600В 8А 26Вт
Производитель: Magna Chip
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 8A
Мощность макс.: 26Вт
Тип транзистора: N-канал
NDD04N60ZT4G
Транзистор полевой N-канальный 600В 4.1A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 4.1A
Сопротивление открытого канала: 2 Ом
Мощность макс.: 83Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 29нКл
Входная емкость: 640пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NDF06N60ZG
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 7.1 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 7.1A
Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом
Мощность макс.: 35Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 47нКл
Входная емкость: 1107пФ
Тип монтажа: Through Hole
SIHB12N60E-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 12 А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 12A
Сопротивление открытого канала: 380 мОм
Мощность макс.: 147Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 58нКл
Входная емкость: 937пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIHB15N60E-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 15 А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 15A
Сопротивление открытого канала: 280 мОм
Мощность макс.: 180Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 78нКл
Входная емкость: 1350пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIHB22N60E-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 21 А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 21A
Сопротивление открытого канала: 180 мОм
Мощность макс.: 227Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 86нКл
Входная емкость: 1920пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIHB30N60E-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 29 А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 29A
Сопротивление открытого канала: 125 мОм
Мощность макс.: 250Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 130нКл
Входная емкость: 2600пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIHB33N60E-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 33 А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 33A
Сопротивление открытого канала: 99 мОм
Мощность макс.: 278Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 150нКл
Входная емкость: 3508пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIHF12N60E-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 12 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 12A
Сопротивление открытого канала: 380 мОм
Мощность макс.: 33Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 58нКл
Входная емкость: 937пФ
Тип монтажа: Through Hole
SIHF15N60E-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 15 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 15A
Сопротивление открытого канала: 280 мОм
Мощность макс.: 34Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 78нКл
Входная емкость: 1350пФ
Тип монтажа: Through Hole
SIHF22N60E-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 21 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 21A
Сопротивление открытого канала: 180 мОм
Мощность макс.: 35Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 86нКл
Входная емкость: 1920пФ
Тип монтажа: Through Hole
SIHF30N60E-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 29 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 29A
Сопротивление открытого канала: 125 мОм
Мощность макс.: 37Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 130нКл
Входная емкость: 2600пФ
Тип монтажа: Through Hole
SIHFRC20TR-GE3
Транзистор полевой N-канальный 600В 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 2A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.