Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
IRF7769L1TRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 20A DIRECTFET
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DIRECTFET L8
IRF7769L2TRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В DIRECTFET L8
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DIRECTFET L8
IRF7779L2TRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В DIRECTFET L8
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DIRECTFET L8
IRF7805PBF
Транзистор полевой N-канальный 30В 13А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 13A
Сопротивление открытого канала: 11 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 31нКл
Тип монтажа: Surface Mount
IRF7805TRPBF
Транзистор полевой N-канальный 30В 13A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 13A
Сопротивление открытого канала: 11 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 31нКл
Тип монтажа: Surface Mount
IRF7805ZTRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 16A 8-SOIC
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 16A(Ta)
Сопротивление открытого канала: 6.8 мОм @ 16А, 10В
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В @ 250 µA
Заряд затвора: 27нКл @ 4.5В
Входная емкость: 2080пФ @ 15В
Тип монтажа: Surface Mount
IRF7807APBF
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 8.3 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 8.3A
Сопротивление открытого канала: 25 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 17нКл
Тип монтажа: Surface Mount
IRF7807TRPBF
Транзистор полевой N-канальный 30В 8.3A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 8.3A
Сопротивление открытого канала: 25 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 17нКл
Тип монтажа: Surface Mount
IRF7807VD1PBF
Полевой транзистор N-канальный 30В 8.3A 8-SOIC
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 8.3A
Сопротивление открытого канала: 25 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Diode (Isolated)
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 14нКл
Тип монтажа: Surface Mount
IRF7807VTRPBF
Транзистор полевой N-канальный 30В 8.3A 8-Pin SOIC лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 8.3A
Сопротивление открытого канала: 25 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 14нКл
Тип монтажа: Surface Mount
IRF7807ZPBF
Полевой транзистор N-канальный 30В 11A 8-Pin SOIC туба
Производитель: Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 11A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Surface Mount
IRF7809AVPBF
Транзистор полевой N-канальный 30В 13.3А 2.5Вт, 0.007 Ом
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 13.3A
Сопротивление открытого канала: 9 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 62нКл
Входная емкость: 3780пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF7811AVPBF
Транзистор полевой N-канальный 30В 10.8A 2,5Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 10.8A
Сопротивление открытого канала: 14 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 26нКл
Входная емкость: 1801пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF7815PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 5.1A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 5.1A
Сопротивление открытого канала: 43 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 38нКл
Входная емкость: 1647пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF7820PBF
Транзистор полевой N-канальный 200В 3.7A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 3.7A
Сопротивление открытого канала: 78 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 44нКл
Входная емкость: 1750пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF7821PBF
Транзистор полевой N-канальный 30В 18А 3.1Вт, 0.005 Ом
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 13.6A
Сопротивление открытого канала: 9.1 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 14нКл
Входная емкость: 1010пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF7822PBF
Транзистор полевой N-канальный 30В 18А 2.5Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 18A
Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 60нКл
Входная емкость: 5500пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF7831TRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 21A 8-SOIC
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 21A(Ta)
Сопротивление открытого канала: 3.6 мОм @ 20А, 10В
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В @ 250 µA
Заряд затвора: 60нКл @ 4.5В
Входная емкость: 6240пФ @ 15В
Тип монтажа: Surface Mount
IRF7832PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2.5Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 20A
Сопротивление открытого канала: 4 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.32В
Заряд затвора: 51нКл
Входная емкость: 4310пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.71 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России и Беларуси
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.