Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
IRF7473TRPBF
Транзистор полевой N-канальный 100В 6.9A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 6.9A
Сопротивление открытого канала: 26 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В
Заряд затвора: 61нКл
Входная емкость: 3180пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF7476TRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 12В 15A 8-SOIC
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 12В
Ток стока макс.: 15A(Ta)
Сопротивление открытого канала: 8 мОм @ 15А, 4.5В
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.9В @ 250 µA
Заряд затвора: 40нКл @ 4.5В
Входная емкость: 2550пФ @ 6В
Тип монтажа: Surface Mount
IRF7478PBF
Транзистор полевой N-канальный 60В 7А 2.5Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 7A
Сопротивление открытого канала: 26 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 31нКл
Входная емкость: 1740пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF7480MTRPBF
Транзистор полевой N-канальный 40В 217A 10-Pin Direct-FET ME лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DirectFET[тм] Isometric ME
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 217A
Сопротивление открытого канала: 1.2 мОм
Мощность макс.: 96Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 185нКл
Входная емкость: 6680пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF7488TRPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 6.3 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 6.3A
Сопротивление открытого канала: 29 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 57нКл
Входная емкость: 1680пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF7490PBF
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 5.4 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 5.4A
Сопротивление открытого канала: 39 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 56нКл
Входная емкость: 1720пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF7490TRPBF
Полевой транзистор N-канальный 100В 5.4A 8-Pin SOIC лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 5.4A
Сопротивление открытого канала: 39 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 56нКл
Входная емкость: 1720пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF7492PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.7А 2.5Вт, 0.079 Ом
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 3.7A
Сопротивление открытого канала: 79 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 59нКл
Входная емкость: 1820пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF7493PBF
Транзистор полевой N-канальный 80В 9.2А 2.5Вт, 0.015 Ом
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 9.3A
Сопротивление открытого канала: 15 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 53нКл
Входная емкость: 1510пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF7495PBF
Транзистор полевой N-канальный 100В 7.3А 2.5Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 7.3A
Сопротивление открытого канала: 22 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 51нКл
Входная емкость: 1530пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF7501TR
Транзистор полевой 2N-канальный 20В 2.4A MICRO8
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: MSOP8
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 2.4A
Тип транзистора: 2N-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
IRF7506TRPBF
Полевой транзистор P-канальный 30В 1.7A 8-Pin Micro лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: MSOP8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 1.7A
Тип транзистора: P-канал
IRF7580MTRPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 114 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DirectFET[тм] Isometric ME
IRF7606TRPBF
Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 3.6 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: MSOP8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 3.6A
Сопротивление открытого канала: 90 мОм
Мощность макс.: 1.8Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 30нКл
Входная емкость: 520пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF7607TRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 6.5A MICRO8
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: MSOP8
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 6.5A(Ta)
Сопротивление открытого канала: 30 мОм @ 6.5А, 4.5В
Мощность макс.: 1.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В @ 250 µA
Заряд затвора: 22нКл @ 5В
Входная емкость: 1310пФ @ 15В
Тип монтажа: Surface Mount
IRF7726TRPBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 7A MICRO8
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: MSOP8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 7A(Ta)
Сопротивление открытого канала: 26 мОм @ 7А, 10В
Мощность макс.: 1.79Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В @ 250 µA
Заряд затвора: 69нКл @ 10В
Входная емкость: 2204пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
IRF7739L1TRPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 46 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DIRECTFET L8
IRF7749L1TRPBF
Полевой транзистор N-канальный 60В 33A DIRECTFETL8
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DIRECTFET L8
IRF7749L2TRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В DIRECTFET L8
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DIRECTFET L8
IRF7759L2TRPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 75 В
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DIRECTFET L8
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.71 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России и Беларуси
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.