Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (4)
Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (6846)

IRF7241PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 6.2A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 41 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 3220пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 813 шт

Цена от:

от 54,04₽

Акция

IRF730APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 5.5A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 5.5A Сопротивление открытого канала: 1 Ом Мощность макс.: 74Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 600пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF730ASPBF Транзистор полевой N-канальный 400В 5.5A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 5.5A Сопротивление открытого канала: 1 Ом Мощность макс.: 74Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF730PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 5.5А 74Вт, 1 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 5.5A Сопротивление открытого канала: 1 Ом Мощность макс.: 74Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF730SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 5.5A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 5.5A Сопротивление открытого канала: 1 Ом Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7342D2PBF Полевой транзистор, P-канальный, 55 В, 3.4 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8

Сообщить о поступлении

IRF7401PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 8.7А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 8.7A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 1600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

7 129 шт

Цена от:

от 47,59₽

IRF7402TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 6.8A 8-SOIC Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6.8A(Ta) Сопротивление открытого канала: 35 мОм @ 4.1А, 4.5В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ @ 250 µA Заряд затвора: 22нКл @ 4.5В Входная емкость: 650пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF7403PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8.5А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8.5A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 57нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 464 шт

Цена от:

от 65,69₽

Акция

IRF7404PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 6.7А 2.5Вт, 0.04 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6.7A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 1500пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

2 шт

Цена от:

от 32,36₽

IRF7406PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.8А 2.5Вт, 0.045 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5.8A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 59нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 022 шт

Цена от:

от 6,11₽

IRF740ALPBF Транзистор полевой N-канальный 400В 10А 125Вт Производитель: Vishay Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 1030пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF740APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 10А 125Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 1030пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRF740ASPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 10А 125Вт Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 1030пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF740ASTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 10А 125Вт Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 1030пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF740BPBF Полевой транзистор, N-канальный, 400 В, 10 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 147Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 526пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF740LCPBF Транзистор полевой N-канальный 400В 10A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF740PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 10А 134Вт, 0.54 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRF740SPBF Транзистор полевой N-канальный 400В 10А 125Вт, 0.55 Ом Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF740STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 10А 135Вт Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"