Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (6839)
IRF624SPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 4.4 А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 4.4A
Сопротивление открытого канала: 1.1 Ом
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 14нКл
Входная емкость: 260пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF630NSPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.3А 3.1Вт, 0.3 Ом
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 9.3A
Сопротивление открытого канала: 300 мОм
Мощность макс.: 82Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 35нКл
Входная емкость: 575пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт
Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 507 шт
Цена от:
от 87,74₽
Акция
![]()
IRF630PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 9A
Сопротивление открытого канала: 400 мОм
Мощность макс.: 74Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 43нКл
Входная емкость: 800пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRF630PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 9A
Сопротивление открытого канала: 400 мОм
Мощность макс.: 74Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 43нКл
Входная емкость: 800пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRF630SPBF
Транзистор полевой N-канальный 200В 9A
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 9A
Сопротивление открытого канала: 400 мОм
Мощность макс.: 3Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 43нКл
Входная емкость: 800пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF630STRLPBF
Транзистор полевой N-канальный 200В 9A
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 9A
Сопротивление открытого канала: 400 мОм
Мощность макс.: 3Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 43нКл
Входная емкость: 800пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF630STRRPBF
Транзистор полевой N-канальный 200В 9A
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 9A
Сопротивление открытого канала: 400 мОм
Мощность макс.: 3Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 43нКл
Входная емкость: 800пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF634PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 8.1А 74Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 8.1A
Сопротивление открытого канала: 450 мОм
Мощность макс.: 74Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 41нКл
Входная емкость: 770пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRF634STRRPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 8.1 А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 8.1A
Сопротивление открытого канала: 450 мОм
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 41нКл
Входная емкость: 770пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF640NLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A TO-262
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: I2PAK
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 18A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 150 мОм @ 11А, 10В
Мощность макс.: 150Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA
Заряд затвора: 67нКл @ 10В
Входная емкость: 1160пФ @ 25В
Тип монтажа: Through Hole
Акция
![]()
IRF640NSPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 3.1Вт, 0.15 Ом
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 18A
Сопротивление открытого канала: 150 мОм
Мощность макс.: 150Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 67нКл
Входная емкость: 1160пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF640NSPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 3.1Вт, 0.15 Ом
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 18A
Сопротивление открытого канала: 150 мОм
Мощность макс.: 150Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 67нКл
Входная емкость: 1160пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт
Под заказ:
0 шт
Аналоги:
33 770 шт
Цена от:
от 37,69₽
IRF640NSTRRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 18A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 150 мОм @ 11А, 10В
Мощность макс.: 150Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA
Заряд затвора: 67нКл @ 10В
Входная емкость: 1160пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт
Под заказ:
0 шт
Аналоги:
33 770 шт
Цена от:
от 40,61₽
IRF640PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 125Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 18A
Сопротивление открытого канала: 180 мОм
Мощность макс.: 125Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 70нКл
Входная емкость: 1300пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRF640SPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 3.1Вт
Производитель: Vishay
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 18A
Сопротивление открытого канала: 180 мОм
Мощность макс.: 130Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 70нКл
Входная емкость: 1300пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF640STRLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 3.1Вт
Производитель: Vishay
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 18A
Сопротивление открытого канала: 180 мОм
Мощность макс.: 130Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 70нКл
Входная емкость: 1300пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF640STRRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A
Производитель: Vishay
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 18A
Сопротивление открытого канала: 180 мОм
Мощность макс.: 130Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 70нКл
Входная емкость: 1300пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF644PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 14А 125Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 14A
Сопротивление открытого канала: 280 мОм
Мощность макс.: 125Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 68нКл
Входная емкость: 1300пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRF644STRRPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 14 А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
IRF6613TRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 23A DIRECTFET
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DIRECTFET[тм] MT
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 23A(Ta),150A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 3.4 мОм @ 23А, 10В
Мощность макс.: 2.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В @ 250 µA
Заряд затвора: 63нКл @ 4.5В
Входная емкость: 5950пФ @ 15В
Тип монтажа: Surface Mount
IRF6614TRPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 12.7 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DIRECTFET[тм] ST
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 12.7A
Сопротивление открытого канала: 8.3 мОм
Мощность макс.: 2.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В
Заряд затвора: 29нКл
Входная емкость: 2560пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF6623TRPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 16 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DIRECTFET[тм] ST
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 16A
Сопротивление открытого канала: 5.7 мОм
Мощность макс.: 1.4Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В
Заряд затвора: 17нКл
Входная емкость: 1360пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69825 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара