Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (4076)
TK56E12N1,S1X(S Транзистор полевой N-канальный 120В 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 120В Ток стока макс.: 112A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Through Hole
TK58A06N1,S4X(S Транзистор полевой N-канальный 60В 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 105A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Through Hole
TK58E06N1,S1X(S Полевой транзистор N-канальный 60В 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 105A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Through Hole
TK65A10N1,S4X(S Полевой транзистор N-канальный 100В 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 148A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Through Hole
TK65E10N1,S1X(S Транзистор полевой N-канальный 100В 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 148A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Through Hole
TK6A60W,S4VX(M Транзистор полевой N-канальный 600В 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 6.2A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Through Hole
TK72E12N1,S1X(S Полевой транзистор N-канальный 120В 179A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 120В Ток стока макс.: 179A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Through Hole
TN2404K-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 240В 200мА Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 240В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 4 Ом Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8нКл Тип монтажа: Surface Mount
TN2404K-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 240В 200мА Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 240В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 4 Ом Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8нКл Тип монтажа: Surface Mount
TN2510N8-G Транзистор полевой N-канальный 100В 0.73A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 лента на катушке Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: SOT-89-3 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 730мА(Tj) Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом @ 750mА, 10В Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В @ 1mA Входная емкость: 125пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
TN2524N8-G Полевой транзистор N-канальный 240В 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 лента на катушке Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: SOT-89-3 Напряжение исток-сток макс.: 240В Ток стока макс.: 360мА(Tj) Сопротивление открытого канала: 6 Ом @ 500mА, 10В Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В @ 1mA Входная емкость: 125пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
Акция TPC8037H Транзистор полевой N-канальный 30В 12А 1.9Вт (рекомендуемая замена: TP89R103NL, TPC8065-H, TPC8064-H) Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Мощность макс.: 1.9Вт Тип транзистора: N-канал
TPH1R204PL,L1Q(M Полевой транзистор N-канальный 40В 246A 8-Pin SOP Advance лента на катушке Производитель: Toshiba Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 246A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
TPHR9003NL,L1Q(M Полевой транзистор N-канальный 30В 220A 8-Pin SOP Advance Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 220A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
TSM2302CX RFG Транзистор полевой N-канальный 20В 3.2A 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Taiwan Semiconductor Co., Ltd Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.9A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±8В Заряд затвора: 7.8нКл Входная емкость: 587пФ Тип монтажа: Surface Mount
TSM2312CX RFG Транзистор полевой N-канальный 20В 4.9A 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Taiwan Semiconductor Co., Ltd Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4.9A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 750мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±8В Заряд затвора: 11.2нКл Входная емкость: 500пФ Тип монтажа: Surface Mount
TSM250N02CX RFG Транзистор полевой N-канальный 20В 5.8A 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Taiwan Semiconductor Co., Ltd Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 5.8A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
TSM3404CX RFG Полевой транзистор N-канальный 30В 5.8A SOT23 Производитель: Taiwan Semiconductor Co., Ltd Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5.8A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 750мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 13.8нКл Входная емкость: 400.96пФ Тип монтажа: Surface Mount
TTK2837 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20А 280Вт Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 20A Мощность макс.: 280Вт Тип транзистора: N-канал
VN10LFTA Транзистор полевой N-канальный 60В 0.15A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 150мА Сопротивление открытого канала: 5 Ом Мощность макс.: 330мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Входная емкость: 60пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"