Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
IRF540ZSTRLPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 36 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
IRF5805TRPBF
Транзистор полевой P-канальный 30В 3.8A 6-Pin TSOP лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: Micro6[тм](TSOP-6)
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 3.8A
Сопротивление открытого канала: 98 мОм
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 17нКл
Входная емкость: 511пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF5806TRPBF
Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 4 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: Micro6[тм](TSOP-6)
IRF610PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 36Вт 200В 3.3А 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 3.3A
Мощность макс.: 36Вт
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Through Hole
IRF610PBF
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 3.3 А, 36W
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
IRF610SPBF
Транзистор полевой N-канальный 200В 3.3A
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 3.3A
Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом
Мощность макс.: 3Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 8.2нКл
Входная емкость: 140пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF610STRLPBF
Транзистор полевой N-канальный 200В 3.3A
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 3.3A
Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом
Мощность макс.: 3Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 8.2нКл
Входная емкость: 140пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF614SPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 2.7 А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
IRF6201PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 27A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 27A
Сопротивление открытого канала: 2.45 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В
Заряд затвора: 195нКл
Входная емкость: 8555пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF6201TRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 27A 2,5Вт 0,00245Ом SO8
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 27A(Ta)
Сопротивление открытого канала: 2.45 мОм @ 27А, 4.5В
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В @ 100 µA
Заряд затвора: 195нКл @ 4.5В
Входная емкость: 8555пФ @ 16В
Тип монтажа: Surface Mount
IRF620PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 5.2А 50Вт, 0.8 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220 Isolated Tab
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 5.2A
Сопротивление открытого канала: 800 мОм
Мощность макс.: 50Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 14нКл
Входная емкость: 260пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRF620SPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 5.2A
Производитель: Vishay
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 5.2A
Сопротивление открытого канала: 800 мОм
Мощность макс.: 3Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 14нКл
Входная емкость: 260пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF6215SPBF
Транзистор полевой P-канальный 150В 13A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 13A
Сопротивление открытого канала: 290 мОм
Мощность макс.: 3.8Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 66нКл
Входная емкость: 860пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF6216PBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 2.2A 2.5Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 2.2A
Сопротивление открытого канала: 240 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 49нКл
Входная емкость: 1280пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF6217TRPBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 0.7A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 700мА
Сопротивление открытого канала: 2.4 Ом
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 9нКл
Входная емкость: 150пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF6218STRLPBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 27A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 27A
Сопротивление открытого канала: 150 мОм
Мощность макс.: 250Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 110нКл
Входная емкость: 2210пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF624SPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 4.4 А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 4.4A
Сопротивление открытого канала: 1.1 Ом
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 14нКл
Входная емкость: 260пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF630NSPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.3А 3.1Вт, 0.3 Ом
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 9.3A
Сопротивление открытого канала: 300 мОм
Мощность макс.: 82Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 35нКл
Входная емкость: 575пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF630PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 9A
Сопротивление открытого канала: 400 мОм
Мощность макс.: 74Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 43нКл
Входная емкость: 800пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRF630SPBF
Транзистор полевой N-канальный 200В 9A
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 9A
Сопротивление открытого канала: 400 мОм
Мощность макс.: 3Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 43нКл
Входная емкость: 800пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.