Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
IRF4905STRRPBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 42A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 42A
Тип транзистора: P-канал
Тип монтажа: Surface Mount
IRF510PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 5.6А 43Вт, 0.54 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220 Isolated Tab
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 5.6A
Сопротивление открытого канала: 540 мОм
Мощность макс.: 43Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 8.3нКл
Входная емкость: 180пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRF510SPBF
Транзистор полевой N-канальный 100В 5.6A
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 5.6A
Сопротивление открытого канала: 540 мОм
Мощность макс.: 3.7Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 8.3нКл
Входная емкость: 180пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF510STRLPBF
Транзистор полевой N-канальный 100В 5.6A
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 5.6A
Сопротивление открытого канала: 540 мОм
Мощность макс.: 3.7Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 8.3нКл
Входная емкость: 180пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF510STRRPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 5.6 А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
IRF520PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 9.2А 60Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 9.2A
Сопротивление открытого канала: 270 мОм
Мощность макс.: 60Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 16нКл
Входная емкость: 360пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRF5210
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB туба
Производитель: UMW Youtai Semiconductor
Корпус: TO-220AB
IRF5210LPBF
Транзистор полевой P-канальный 100В 38A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: I2PAK
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 38A
Сопротивление открытого канала: 60 мОм
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 230нКл
Входная емкость: 2780пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRF5210SPBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 40А 3.8Вт, 0.06 Ом
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 38A
Сопротивление открытого канала: 60 мОм
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 230нКл
Входная емкость: 2780пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF5305SPBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 31А 3.8Вт, 0.06 Ом
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 31A
Сопротивление открытого канала: 60 мОм
Мощность макс.: 3.8Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 63нКл
Входная емкость: 1200пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF5305STRRPBF
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
IRF530NSPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 14А 3.8Вт, 0.16 Ом
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 17A
Сопротивление открытого канала: 90 мОм
Мощность макс.: 3.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 37нКл
Входная емкость: 920пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF530PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 14А 88Вт, 0.16 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 14A
Сопротивление открытого канала: 160 мОм
Мощность макс.: 88Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 26нКл
Входная емкость: 670пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRF530SPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 14A
Производитель: Vishay
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 14A
Сопротивление открытого канала: 160 мОм
Мощность макс.: 3.7Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 26нКл
Входная емкость: 670пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF530STRLPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 14 А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
IRF530STRRPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 14 А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
IRF540N
Транзистор полевой N-канальный 100В 33A
Производитель: UMW Youtai Semiconductor
Корпус: TO-220AB
IRF540NLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33A TO-262
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: I2PAK
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 33A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 44 мОм @ 16А, 10В
Мощность макс.: 130Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA
Заряд затвора: 71нКл @ 10В
Входная емкость: 1960пФ @ 25В
Тип монтажа: Through Hole
IRF540NSPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33А 3.8Вт, 0.052 Ом
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 33A
Сопротивление открытого канала: 44 мОм
Мощность макс.: 130Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 71нКл
Входная емкость: 1960пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF540NSTRRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 33A
Сопротивление открытого канала: 44 мОм
Мощность макс.: 130Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 71нКл
Входная емкость: 1960пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69825 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.