Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (6821)
IRF640STRLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 3.1Вт
Производитель: Vishay
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 18A
Сопротивление открытого канала: 180 мОм
Мощность макс.: 130Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 70нКл
Входная емкость: 1300пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF640STRRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A
Производитель: Vishay
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 18A
Сопротивление открытого канала: 180 мОм
Мощность макс.: 130Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 70нКл
Входная емкость: 1300пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF644PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 14А 125Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 14A
Сопротивление открытого канала: 280 мОм
Мощность макс.: 125Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 68нКл
Входная емкость: 1300пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRF644STRRPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 14 А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
IRF6613TRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 23A DIRECTFET
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DIRECTFET[тм] MT
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 23A(Ta),150A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 3.4 мОм @ 23А, 10В
Мощность макс.: 2.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В @ 250 µA
Заряд затвора: 63нКл @ 4.5В
Входная емкость: 5950пФ @ 15В
Тип монтажа: Surface Mount
IRF6614TRPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 12.7 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DIRECTFET[тм] ST
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 12.7A
Сопротивление открытого канала: 8.3 мОм
Мощность макс.: 2.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В
Заряд затвора: 29нКл
Входная емкость: 2560пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF6616TRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 19А 89Вт, 0.046 Ом
Производитель: Infineon Technologies
IRF6623TRPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 16 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DIRECTFET[тм] ST
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 16A
Сопротивление открытого канала: 5.7 мОм
Мощность макс.: 1.4Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В
Заряд затвора: 17нКл
Входная емкость: 1360пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF6641TRPBF
Транзистор полевой N-канальный 200В 4.6А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DIRECTFET[тм] MZ
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 4.6A(Ta),26A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 59.9 мОм @ 5.5А, 10В
Мощность макс.: 2.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В @ 150 µA
Заряд затвора: 48нКл @ 10В
Входная емкость: 2290пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
IRF6643TRPBF
Полевой транзистор N-канальный 150В 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DIRECTFET[тм] MZ
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 6.2A
Сопротивление открытого канала: 34.5 мОм
Мощность макс.: 2.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В
Заряд затвора: 55нКл
Входная емкость: 2340пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF6644TRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10.3A DIRECTFET
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DIRECTFET[тм] MN
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 10.3A(Ta),60A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 13 мОм @ 10.3А, 10В
Мощность макс.: 2.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4.8В @ 150 µA
Заряд затвора: 47нКл @ 10В
Входная емкость: 2210пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
IRF6646TRPBF
Транзистор полевой N-канальный 80В 12A 7-Pin Direct-FET MN лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DIRECTFET[тм] MN
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 12A(Ta),68A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 9.5 мОм @ 12А, 10В
Мощность макс.: 2.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В @ 150 µA
Заряд затвора: 50нКл @ 10В
Входная емкость: 2060пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
IRF6648TRPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 86 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DIRECTFET[тм] MN
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 86A
Сопротивление открытого канала: 7 мОм
Мощность макс.: 2.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В
Заряд затвора: 50нКл
Входная емкость: 2120пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF6662TRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8.3A DIRECTFET
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DIRECTFET[тм] MZ
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 8.3A(Ta),47A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 22 мОм @ 8.2А, 10В
Мощность макс.: 2.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В @ 100 µA
Заряд затвора: 31нКл @ 10В
Входная емкость: 1360пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
IRF6714MTRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 29A DIRECTFET
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DIRECTFET[тм] MX
Напряжение исток-сток макс.: 25В
Ток стока макс.: 29A(Ta),166A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 2.1 мОм @ 29А, 10В
Мощность макс.: 2.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В @ 100 µA
Заряд затвора: 44нКл @ 4.5В
Входная емкость: 3890пФ @ 13В
Тип монтажа: Surface Mount
IRF6716MTRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 39A DIRECTFET
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DIRECTFET[тм] MX
Напряжение исток-сток макс.: 25В
Ток стока макс.: 39A(Ta),180A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 1.6 мОм @ 40А, 10В
Мощность макс.: 3.6Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В @ 100 µA
Заряд затвора: 59нКл @ 4.5В
Входная емкость: 5150пФ @ 13В
Тип монтажа: Surface Mount
IRF6726MTRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 32A DIRECTFET
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DIRECTFET[тм] MT
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 32A(Ta),180A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 1.7 мОм @ 32А, 10В
Мощность макс.: 2.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В @ 150 µA
Заряд затвора: 77нКл @ 4.5В
Входная емкость: 6140пФ @ 15В
Тип монтажа: Surface Mount
Акция
![]()
IRF6727M
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 32A
Производитель: Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 32А
Тип транзистора: N-канальный
IRF6727M
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 32A
Производитель: Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 32А
Тип транзистора: N-канальный
Наличие:
0 шт
Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 078 шт
Цена от:
от 108,87₽
IRF6775MTRPBF
Транзистор полевой N-канальный 150В 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DIRECTFET[тм] MZ
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 4.9A
Сопротивление открытого канала: 56 мОм
Мощность макс.: 2.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 36нКл
Входная емкость: 1411пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF6795MTRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 32A DIRECTFET-MX
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DIRECTFET[тм] MX
Напряжение исток-сток макс.: 25В
Ток стока макс.: 32A(Ta),160A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 1.8 мОм @ 32А, 10В
Мощность макс.: 2.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В @ 100 µA
Заряд затвора: 53нКл @ 4.5В
Входная емкость: 4280пФ @ 13В
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.71 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России и Беларуси
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара