Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (390)
STS11NF30L Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 11 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 10.5 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1440пФ Тип монтажа: Surface Mount
STS5NF60L Транзистор полевой N-канальный 60В 5A Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 1250пФ Тип монтажа: Surface Mount
STS6NF20V Транзистор полевой N-канальный 20В 6A Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 600mВ Заряд затвора: 11.5нКл Входная емкость: 460пФ Тип монтажа: Surface Mount
STS7NF60L Полевой транзистор N-канальный 60В 7.5A 8-Pin SO N лента на катушке Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 7.5A(Tc) Сопротивление открытого канала: 19.5 мОм @ 3.5А, 10В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В @ 250 µA Заряд затвора: 34нКл @ 4.5В Входная емкость: 1700пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
STS7PF30L Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 7 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 21 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 7нКл Входная емкость: 2600пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция SUD09P10-195-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 8.8A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 8.8A Сопротивление открытого канала: 195 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 34.8нКл Входная емкость: 1055пФ Тип монтажа: Surface Mount
SUD50P04-08-GE3 Транзистор полевой P-канальный 40В 50A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 8.1 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 159нКл Входная емкость: 5380пФ Тип монтажа: Surface Mount
SUD50P06-15-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 50A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 165нКл Входная емкость: 4950пФ Тип монтажа: Surface Mount
ZVN4424GTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 240В 500MA SOT223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 240В Ток стока макс.: 500мА(Ta) Сопротивление открытого канала: 5.5 Ом @ 500mА, 10В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В @ 1mA Входная емкость: 200пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
ZVP4424GTA Транзистор полевой P-канальный 240В 0.48A Aвтомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 240В Ток стока макс.: 480мА Сопротивление открытого канала: 9 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"