Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (484)
STF34NM60ND Транзистор полевой N-канальный 600В 29A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 29A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 80.4нКл Входная емкость: 2785пФ Тип монтажа: Through Hole
STF38N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 30A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 95 мОм Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 71нКл Входная емкость: 3000пФ Тип монтажа: Through Hole
STF3N80K5 Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 2.5 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 20Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 9.5нКл Входная емкость: 130пФ Тип монтажа: Through Hole
STF45N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 35A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 78 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 91нКл Входная емкость: 3375пФ Тип монтажа: Through Hole
STF4N80K5 Транзистор полевой N-канальный 800В 3A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом Мощность макс.: 20Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 10.5нКл Входная емкость: 175пФ Тип монтажа: Through Hole
STF57N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 42A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 63 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 98нКл Входная емкость: 4200пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция STF5N95K3 Транзистор полевой N-канальный 950В 4А 25Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 950В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 460пФ Тип монтажа: Through Hole
STF5N95K5 Полевой транзистор, N-канальный, 950 В, 3.5 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 950В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 12.5нКл Входная емкость: 220пФ Тип монтажа: Through Hole
STF6N80K5 Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 4.5 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 270пФ Тип монтажа: Through Hole
STF7N80K5 Транзистор полевой N-канальный 800В 6A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 13.4нКл Входная емкость: 360пФ Тип монтажа: Through Hole
STF8N80K5 Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 6 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 950 мОм Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 16.5нКл Входная емкость: 450пФ Тип монтажа: Through Hole
STFW3N150 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1500В 2.5A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-3PF Напряжение исток-сток макс.: 1500В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 9 Ом Мощность макс.: 63Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 29.3нКл Входная емкость: 939пФ Тип монтажа: Through Hole
STFW69N65M5 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 58 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-3PF Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 58A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 143нКл Входная емкость: 6420пФ Тип монтажа: Through Hole
STH3N150-2 Транзистор полевой N-канальный 1500В 2.5A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 1500В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 9 Ом Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 29.3нКл Входная емкость: 939пФ Тип монтажа: Surface Mount
STL12N65M5 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 8.5A Сопротивление открытого канала: 530 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 644пФ Тип монтажа: Surface Mount
STL15N65M5 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 10 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 375 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 816пФ Тип монтажа: Surface Mount
STL18N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 240 мОм Мощность макс.: 57Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 31нКл Входная емкость: 1240пФ Тип монтажа: Surface Mount
STL21N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 17A Производитель: ST Microelectronics Корпус: PowerFLAT 8x8 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 179 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 1950пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция STL22N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В Производитель: ST Microelectronics Корпус: PowerFLAT 8x8 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 210 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 1345пФ Тип монтажа: Surface Mount
STL26NM60N Транзистор полевой N-канальный 600В 19A Производитель: ST Microelectronics Корпус: PowerFLAT 8x8 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 185 мОм Мощность макс.: 125мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"