Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3522)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1580)

BUK9Y25-60E,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 34A LFPAK Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK56 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 34A(Tc) Сопротивление открытого канала: 21.5 мОм @ 10А, 10В Мощность макс.: 65Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA Заряд затвора: 12нКл @ 5В Входная емкость: 1500пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK9Y29-40E,115 Полевой транзистор N-канальный 40В 25A LFPAK Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK56 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 25A(Tc) Сопротивление открытого канала: 25 мОм @ 5А, 10В Мощность макс.: 37Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA Заряд затвора: 5нКл @ 5В Входная емкость: 664пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK9Y38-100E,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 30A LFPAK Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK56 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 30A(Tc) Сопротивление открытого канала: 38 мОм @ 5А, 5В Мощность макс.: 94.9Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA Заряд затвора: 21.6нКл @ 5В Входная емкость: 2541пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK9Y3R0-40E,115 Полевой транзистор N-канальный 40В 100A LFPAK Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK56 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 100A(Tc) Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 194Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA Заряд затвора: 35.5нКл @ 5В Входная емкость: 5962пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK9Y43-60E,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 22A LFPAK Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK56 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 22A(Tc) Сопротивление открытого канала: 41 мОм @ 5А, 10В Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA Заряд затвора: 8.2нКл @ 5В Входная емкость: 880пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK9Y4R8-60E,115 Транзистор полевой N-канальный 60В 100A LFPAK Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK56 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 100A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.1 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 238Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA Заряд затвора: 50нКл @ 5В Входная емкость: 7853пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK9Y53-100B,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 23A LFPAK Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK56 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 23A(Tc) Сопротивление открытого канала: 49 мОм @ 10А, 10В Мощность макс.: 75Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В @ 1mA Заряд затвора: 18нКл @ 5В Входная емкость: 2130пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK9Y7R6-40E,115 Полевой транзистор N-канальный 40В 79A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 79A(Tc) Сопротивление открытого канала: 6 мОм @ 20А, 10В Мощность макс.: 95Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA Заряд затвора: 16.4нКл @ 5В Входная емкость: 2403пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK9Y8R7-60E,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В LFPAK Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK56 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 86A(Tc) Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм @ 20А, 10В Мощность макс.: 147Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA Заряд затвора: 31нКл @ 5В Входная емкость: 4570пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

BVSS123LT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 170мА, 0.225Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 170мА Сопротивление открытого канала: 6 Ом Мощность макс.: 225мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Входная емкость: 20пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BVSS138LT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 200мА, 0.225Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 225мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

BVSS84LT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 50В 130мА, 0.225Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 130мА Сопротивление открытого канала: 10 Ом Мощность макс.: 225мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 2.2нКл Входная емкость: 36пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD13202Q2 Полевой транзистор, N-канальный, 12 В, 76 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON6 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 9.3 мОм Мощность макс.: 2.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 6.6нКл Входная емкость: 997пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD13381F4 Транзистор полевой N-канальный 12В 2.1A Производитель: Texas Instruments Корпус: SON3 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 2.1A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 1.4нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD13381F4T Транзистор полевой N-канальный 12В 2.1A Производитель: Texas Instruments Корпус: SON3 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 2.1A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 1.4нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD16301Q2 Полевой транзистор, N-канальный, 25 В Производитель: Texas Instruments Корпус: SON6 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.55В Заряд затвора: 2.8нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD16327Q3T Полевой транзистор N-канальный 25В 21A 8-Pin VSON-CLIP EP лента на катушке Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 4 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Заряд затвора: 8.4нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD16340Q3 Транзистор полевой N-канальный 25В 60A Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 9.2нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD16401Q5 Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 100 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 38A Сопротивление открытого канала: 1.6 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.9В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 4100пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Новинка

CSD16406Q3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 60A Производитель: Texas Instruments Корпус: SON-8 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 5.3 мОм Мощность макс.: 2.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 8.1нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"