Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (575)
IRFP21N60LPBF Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 21 А Производитель: Vishay Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 320 мОм Мощность макс.: 330Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 150нКл Входная емкость: 4000пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFP22N60KPBF Транзистор полевой N-канальный 600В 22А 370Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 370Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 150нКл Входная емкость: 3570пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFP26N60LPBF Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 26 А Производитель: Vishay Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 26A Сопротивление открытого канала: 250 мОм Мощность макс.: 470Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 180нКл Входная емкость: 5020пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFP27N60KPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 27А 500Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 27A Сопротивление открытого канала: 220 мОм Мощность макс.: 500Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 180нКл Входная емкость: 4660пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFPC40PBF Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 6.8 А Производитель: Vishay Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 6.8A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFPC50APBF Транзистор полевой N-канальный 600В 11A Производитель: Vishay Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 580 мОм Мощность макс.: 180Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 2100пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFPC50LCPBF Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 11 А Производитель: Vishay Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 84нКл Входная емкость: 2300пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFPC50PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11А 180Вт, 0.6 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 180Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 140нКл Входная емкость: 2700пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFPC60LCPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 16А 280Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 280Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 3500пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFPC60PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 16А 280Вт, 0.40 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 280Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 210нКл Входная емкость: 3900пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFPS38N60LPBF Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 38 А Производитель: Vishay Корпус: Super-247 (TO-274AA) Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 38A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 540Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 320нКл Входная емкость: 7990пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFPS40N60KPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 40А 570Вт Производитель: Vishay Корпус: Super-247 (TO-274AA) Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 130 мОм Мощность макс.: 570Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 330нКл Входная емкость: 7970пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFR1N60APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 1.4A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 7 Ом Мощность макс.: 36Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 229пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR1N60ATRPBF Транзистор полевой N-канальный 600В 1.4A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 7 Ом Мощность макс.: 36Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 229пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRFRC20PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2.0А 42Вт, 4.4 Ом Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 4.4 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFRC20TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 4.4 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFRC20TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 4.4 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRFS9N60APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 9.2А 170Вт Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 9.2A Сопротивление открытого канала: 750 мОм Мощность макс.: 170Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 49нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFS9N60ATRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 9.2A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 9.2A Сопротивление открытого канала: 750 мОм Мощность макс.: 170Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 49нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFU1N60APBF Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 1.4 А Производитель: Vishay Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 7 Ом Мощность макс.: 36Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 229пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"