Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (410)
SIE822DF-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 50 А Производитель: Vishay Корпус: PolarPAKВ®10-(S) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 3.4 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 78нКл Входная емкость: 4200пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIR404DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 1.6 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 97нКл Входная емкость: 8130пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIR410DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 35 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 4.8 мОм Мощность макс.: 36Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 1600пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIR424DP-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 20В 30A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 5.5 мОм Мощность макс.: 41.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1250пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIR440DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 1.55 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 150нКл Входная емкость: 6000пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIR866DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 1.9 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 107нКл Входная емкость: 4730пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIS410DN-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 35 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 4.8 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 1600пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIS438DN-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 16 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 9.5 мОм Мощность макс.: 27.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 880пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция SQ2310ES-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 6A Производитель: Vishay Корпус: TO-236 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.5нКл Входная емкость: 485пФ Тип монтажа: Surface Mount
SQ2351ES-T1_GE3 Транзистор полевой P-канальный 20В 3.2A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.2A Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount
SQ3469EV-T1_GE3 Полевой транзистор P-канальный 20В 8A автомобильного применения 6-Pin TSOP лента на катушке Производитель: Vishay Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 36 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 1020пФ Тип монтажа: Surface Mount
SSM3K35MFV,L3F(T Полевой транзистор N-канальный 20В 0.18A 3-Pin VESM лента на катушке Производитель: Toshiba Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 0.18A Тип транзистора: N-канал
STL6N2VH5 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 6 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: PowerFLAT 2x2 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: N-канальный Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Surface Mount
STR1P2UH7 Полевой транзистор P-канальный 20В 1.4A 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: ST Microelectronics Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±8В Заряд затвора: 4.8нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Surface Mount
STS6NF20V Транзистор полевой N-канальный 20В 6A Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 600mВ Заряд затвора: 11.5нКл Входная емкость: 460пФ Тип монтажа: Surface Mount
STT5N2VH5 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канальный Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 4.6нКл Входная емкость: 367пФ Тип монтажа: Surface Mount
TSM2301ACX RFG Транзистор полевой P-канальный 20В 2.8A 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Taiwan Semiconductor Co., Ltd Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 130 мОм Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±12В Заряд затвора: 4.5нКл Входная емкость: 480пФ Тип монтажа: Surface Mount
TSM2302CX RFG Транзистор полевой N-канальный 20В 3.2A 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Taiwan Semiconductor Co., Ltd Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.9A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±8В Заряд затвора: 7.8нКл Входная емкость: 587пФ Тип монтажа: Surface Mount
TSM2312CX RFG Транзистор полевой N-канальный 20В 4.9A 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Taiwan Semiconductor Co., Ltd Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4.9A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 750мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±8В Заряд затвора: 11.2нКл Входная емкость: 500пФ Тип монтажа: Surface Mount
TSM250N02CX RFG Транзистор полевой N-канальный 20В 5.8A 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Taiwan Semiconductor Co., Ltd Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 5.8A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.71155 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"