Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
HUF76423P3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 35A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 35A
Сопротивление открытого канала: 30 мОм
Мощность макс.: 85Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 34нКл
Входная емкость: 1060пФ
Тип монтажа: Through Hole
HUF76429S3ST
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 47A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 47A
Сопротивление открытого канала: 22 мОм
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 46нКл
Входная емкость: 1480пФ
Тип монтажа: Surface Mount
HUFA76429D3ST_F085
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 20 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 20A
Сопротивление открытого канала: 23 мОм
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 46нКл
Входная емкость: 1480пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IPA057N06N3GXKSA1
Транзистор полевой N-канальный 60В 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 60A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Through Hole
IPA093N06N3GXKSA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Производитель: Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 43А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Through Hole
IPB014N06NATMA1
Полевой транзистор N-канальный 60В 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO263-7
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 180A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Surface Mount
IPB026N06NATMA1
Транзистор полевой N-канальный 60В 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 100A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Surface Mount
IPB029N06N3GATMA1
Транзистор полевой N-канальный 60В 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 120A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Surface Mount
IPB037N06N3GATMA1
Полевой транзистор N-канальный 60В 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 90A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Surface Mount
IPB054N06N3GATMA1
Транзистор полевой N-канальный 60В 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 80A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Surface Mount
IPB057N06NATMA1
Полевой транзистор N-канальный 60В 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 45A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Surface Mount
IPB090N06N3GATMA1
Полевой транзистор N-канальный 50A 60В серия OPTIMOS3 TO263
Производитель: Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 50A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Surface Mount
IPB90N06S4L04ATMA2
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 90A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 90А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
IPD053N06NATMA1
Полевой транзистор N-канальный 60В 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 45A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Surface Mount
IPD079N06L3GBTMA1
Полевой транзистор N-канальный 60В 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 50A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.