Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (38)
DMN3150LW-7 Полевой транзистор, N-канальный, 28 В, 1.6 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 28В Ток стока макс.: 1.6A Сопротивление открытого канала: 88 мОм Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Входная емкость: 305пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMN32D2LFB4-7 Транзистор полевой N-канальный 30В 0.3A Aвтомобильного применения 3-Pin X2-DFN лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-883 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 300мА(Ta) Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом @ 100mА, 4В Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В @ 250 µA Входная емкость: 39пФ @ 3В Тип монтажа: Surface Mount
DMN5L06K-7 Полевой транзистор, N-канальный, 50 В, 300 мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 300мА Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMP210DUFB4-7 Полевой транзистор P-канальный 20В 0.2A автомобильного применения 3-Pin X2-DFN лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: X2-DFN1006-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 5 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 175пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMP2160UW-7 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 1.5 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 900mВ Входная емкость: 627пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDV301N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 220мА, 0.35Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 220мА Сопротивление открытого канала: 4 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.06В Заряд затвора: 0.7нКл Входная емкость: 9.5пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
20 709 шт
Цена от:
от 3,30
Акция FDV302P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 25В 120мА, 0.35Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 120мА Сопротивление открытого канала: 10 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 0.31нКл Входная емкость: 11пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDV303N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 680мА, 0.35Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 680мА Сопротивление открытого канала: 450 мОм Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 2.3нКл Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
80 441 шт
Цена от:
от 3,43
FDV304P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 25В 460мА, 0.35Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 460мА Сопротивление открытого канала: 1.1 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 1.5нКл Входная емкость: 63пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDV305N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 0,95А 0.04 Ом, 0.35Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 (SuperSOT-3) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 900мА Сопротивление открытого канала: 220 мОм Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 1.5нКл Входная емкость: 109пФ Тип монтажа: Surface Mount
NX3008PBK,215 Транзистор полевой P-канальный 30В Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 230мА Сопротивление открытого канала: 4.1 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 0.72нКл Входная емкость: 46пФ Тип монтажа: Surface Mount
PMZ1000UN,315 Транзистор полевой N-канальный 30В 0.48A 3-Pin DFN лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-883 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 480мА Сопротивление открытого канала: 1 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 950mВ Заряд затвора: 0.89нКл Входная емкость: 43пФ Тип монтажа: Surface Mount
PMZ290UNE2YL Транзистор полевой N-канальный 20В 1.2A 3-Pin DFN лента на катушке Производитель: NEXPERIA Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.2A Сопротивление открытого канала: 320 мОм Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±8В Заряд затвора: 1.4нКл Входная емкость: 46пФ Тип монтажа: Surface Mount
PMZB390UNEYL Полевой транзистор N-канальный 30В 0.9A 3-Pin DFN-B лента на катушке Производитель: NEXPERIA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 900мА Сопротивление открытого канала: 470 мОм Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±8В Заряд затвора: 1.3нКл Входная емкость: 41пФ Тип монтажа: Surface Mount
RYC002N05T316 Транзистор полевой N-канальный 50В 200MA SST3 Производитель: ROHM Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 2.2 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±8В Входная емкость: 26пФ Тип монтажа: Surface Mount
STR1P2UH7 Полевой транзистор P-канальный 20В 1.4A 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: ST Microelectronics Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±8В Заряд затвора: 4.8нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Surface Mount
TP0610K-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 185мА Производитель: Vishay Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 185мА Сопротивление открытого канала: 6 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 1.7нКл Входная емкость: 23пФ Тип монтажа: Surface Mount
TP0610K-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 185мА Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 185мА Сопротивление открытого канала: 6 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 1.7нКл Входная емкость: 23пФ Тип монтажа: Surface Mount
  • 1
  • 2
  • Далее
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"