Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (50)
IRF630STRLPBF IRF630STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
43нКл
Входная емкость:
800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF630STRRPBF IRF630STRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
43нКл
Входная емкость:
800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 5.7A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DIRECTFET[тм] SJ
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
5.7A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.9В
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
890пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF9610SPBF IRF9610SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 1.8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
1.8A
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
170пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF9620STRLPBF IRF9620STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 3.5A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
3.5A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF9630SPBF IRF9630SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 6.5A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
800 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF9630STRLPBF IRF9630STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 6.5A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
800 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRF9640SPBF IRF9640SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11А 125Вт, 0.5 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
500 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRF9640STRLPBF IRF9640STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11А 125Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
500 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRF9640STRRPBF IRF9640STRRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
500 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRFR15N20DPBF IRFR15N20DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 17A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
165 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
41нКл
Входная емкость:
910пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFR15N20DTRPBF IRFR15N20DTRPBF Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 17 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
165 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
41нКл
Входная емкость:
910пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRFR3410PBF IRFR3410PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 31А 110Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
39 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
56нКл
Входная емкость:
1690пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
6 095 шт
Цена от:
от 34,86
IRFU3410PBF IRFU3410PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 31A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-251
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
39 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
56нКл
Входная емкость:
1690пФ
Тип монтажа:
Through Hole
NDUL03N150CG NDUL03N150CG Полевой транзистор, N-канальный, 1500 В, 2.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(L)
Напряжение исток-сток макс.:
1500В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
10.5 Ом
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
650пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SI3457CDV-T1-E3 SI3457CDV-T1-E3 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 5.1 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23-6
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
5.1A
Сопротивление открытого канала:
74 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
450пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 5.1 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23-6
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
5.1A
Сопротивление открытого канала:
74 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
450пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SQ2389ES-T1_GE3 Полевой транзистор P-канальный 40В 4.1A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Vishay
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
4.1A
Сопротивление открытого канала:
94 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
420пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STL21N65M5 STL21N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 17A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
PowerFLAT 8x8
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
179 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
1950пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STL57N65M5 STL57N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 4.3A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
PowerFLAT 8x8
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
4.3A
Сопротивление открытого канала:
69 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
4200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7106 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"