Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (90)
IRFR7540TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 90A DPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 90A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.8 мОм @ 66А, 10В Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В @ 100 µA Заряд затвора: 130нКл @ 10В Входная емкость: 4360пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
146 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 62,14
IRFU7440PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 90А 140Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-251AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 90A Сопротивление открытого канала: 2.4 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 134нКл Входная емкость: 4610пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
2 492 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 78,29
IRL7833PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 150А, 140Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 150A Сопротивление открытого канала: 3.8 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 47нКл Входная емкость: 4170пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
147 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 138,05
IRLB8743PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 78A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 78A Сопротивление открытого канала: 3.2 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 54нКл Входная емкость: 5110пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
338 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 82,01
IRLR3110ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 42A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 3980пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
4 451 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 73,70
IRLR3114ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 42A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 4.9 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 3810пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
2 384 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 59,88
IRLR7833TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 140А 140Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 140А Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
1 224 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
245 шт
Цена от:
от 78,54
IRLU7843PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 161A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 161A Сопротивление открытого канала: 3.3 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 4380пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
125 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 131,22
Акция STB6NK90ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 140Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 5.8A Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 60.5нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
131 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 64,33
STP26NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20А 140Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 165 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
104 шт

Под заказ:
186 шт
Цена от:
от 140,05
STP3N150 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1500В 140Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 1500В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 9 Ом Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 29.3нКл Входная емкость: 939пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
0 шт

Под заказ:
4 шт
Цена от:
от 1 106,28
STP8NK80Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 140Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 1320пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
196 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 166,43
AUIRF1010EZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 75A TO220AB Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 75A(Tc) Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм @ 51А, 10В Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 86нКл @ 10В Входная емкость: 2810пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
AUIRF1010EZS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 75A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: DВІPAK Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 75A(Tc) Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм @ 51А, 10В Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 86нКл @ 10В Входная емкость: 2810пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
AUIRF1010ZL Транзистор полевой N-канальный 55В 75A Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A(Tc) Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм @ 75А, 10В Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 95нКл @ 10В Входная емкость: 2840пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
AUIRF1010ZS Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 75 А, 140Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 95нКл Входная емкость: 2840пФ Тип монтажа: Surface Mount
AUIRF4104 Транзистор полевой N-канальный 40В 75A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 5.5 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 100нКл Входная емкость: 3000пФ Тип монтажа: Through Hole
AUIRF4104S Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 75 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 5.5 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 100нКл Входная емкость: 3000пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция AUIRFR1010Z Транзистор полевой N-канальный 55В 42A DPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 42A(Tc) Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм @ 42А, 10В Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 100 µA Заряд затвора: 95нКл @ 10В Входная емкость: 2840пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
AUIRFR3607 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 80 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 56A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 84нКл Входная емкость: 3070пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.71 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"