Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (65)
Акция TK8A50D Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8А 40Вт Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 8A Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал
Наличие:
21 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 77,47
2SK1460LS Транзистор полевой N-канальный 900В 3.5А 3.6Ом 40Вт Производитель: Sanyo Semiconductors Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 3.6Ом Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал
2SK2420 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 2200пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция 2SK2671 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 5А 40Вт Производитель: Shindengen Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 5A Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал
Акция 2SK3245 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 8А 40Вт Производитель: Sanyo Semiconductors Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 8A Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал
Акция 2SK3298 Полевой транзистор, N-канальный, 600В 7.5А 40Вт Производитель: Nippon Electric Comp. Ltd. Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 7.5A Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал
2SK3564 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 3А 40Вт Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 3A Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал
2SK3568 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 12А 40Вт (рекомендуемая замена: TK12A50D) Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220SIS (SC-67) Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 12A Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал
2SK4087 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 14А 40Вт Производитель: Sanyo Semiconductors Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 14A Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал
FDD3N50NZTM Полевой транзистор, N-канальный, 500 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8нКл Входная емкость: 280пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция FDD5N50TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4А 40Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 4A Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал
FDPF8N50NZU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6.5A TO-220F Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 6.5A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом @ 4А, 10В Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 18нКл @ 10В Входная емкость: 735пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
Акция FQPF6N60C Транзистор полевой N-канальный 600В 5.5А 40Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 5.5A Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 810пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRF9620PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 3.5А 40Вт, 1.5 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF9Z20PBF Полевой транзистор, P-канальный, 50 В, 9.7 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 9.7A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 480пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFI640GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.8А 40Вт, 0.18 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9.8A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFI644GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 7.9А 40Вт 0.28 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 7.9A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 68нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFI740GLCPBF Полевой транзистор, N-канальный, 400 В, 5.7 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 5.7A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFI740GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 5.4А 40Вт, 0.55 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 5.4A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 1370пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFI840GLCPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4.5А 40Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 850 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"