Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (60)

IRFP064NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 110А 200Вт TO-247 Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 110А Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

300 шт

Под заказ:

350 шт

Цена от:

от 105,22₽

IRFP3415PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 43A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 43A Сопротивление открытого канала: 42 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 200нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

0 шт

Под заказ:

5 200 шт

Цена от:

от 220,61₽

IRL1004PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 130А 200Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 130A Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 100нКл Входная емкость: 5330пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

90 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 141,35₽

IRL1404PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 160А 200Вт, 0.004 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 4 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 140нКл Входная емкость: 6590пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

175 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 219,22₽

IRL2505PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 104А 200Вт, 0.008 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 104A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 5000пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

1 953 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 180,07₽

IRL3803PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 140А 150Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 140A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 140нКл Входная емкость: 5000пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

244 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 143,88₽

Новинка

STW11NK90Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 9.2A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247-3 Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 9.2A Сопротивление открытого канала: 980 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 115нКл Входная емкость: 3000пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

298 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 163,83₽

AUIRF1404ZS Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 160 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 3.7 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 150нКл Входная емкость: 4340пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Новинка

AUIRF3205 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 110A TO-220AB Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A(Tc) Сопротивление открытого канала: 8 мОм @ 62А, 10В Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 146нКл @ 10В Входная емкость: 3247пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

AUIRF3808S Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 106 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 106A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 220нКл Входная емкость: 5310пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRFI4905 Полевой транзистор, P-канальный, 55 В, 74 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 74A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 180нКл Входная емкость: 3400пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

AUIRL1404Z Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 160 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 3.1 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.7В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 5080пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

AUIRL1404ZS Транзистор Auto Q101 Nкан 40В 180А [D2-PAK] Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 160A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3.1 мОм @ 75А, 10В Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.7В @ 250 µA Заряд затвора: 110нКл @ 5В Входная емкость: 5080пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

HUF75339P3 Транзистор полевой N-канальный 55В 75A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

HUF75639G3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 56 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 56A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

HUF75639P3 Транзистор полевой N-канальный 100В 56A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 56A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

HUF75639S3ST Транзистор полевой N-канальный 100В 56A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 56A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF1404ZSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 3.7 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 150нКл Входная емкость: 4340пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF1404ZSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 3.7 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 150нКл Входная емкость: 4340пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF1405SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 131А 200Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 131A Сопротивление открытого канала: 5.3 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 260нКл Входная емкость: 5480пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

640 шт

Цена от:

от 199,45₽

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"