Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (61)
AOD408 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 18А 30Вт Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: TO-252 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 18A Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал
FDD3N40TM Транзистор полевой N-канальный 400В 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 3.4 Ом Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 225пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD8451 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 990пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDPF5N50NZ Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 4.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 440пФ Тип монтажа: Through Hole
FQPF20N06 Транзистор полевой N-канальный 60В 15A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 590пФ Тип монтажа: Through Hole
FQPF20N06L Транзистор полевой N-канальный 60В 15.7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 15.7A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 630пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFI620GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 4.1A Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 260пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFI720GPBF Полевой транзистор, N-канальный, 400 В, 2.6 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 2.6A Сопротивление открытого канала: 1.8 Ом Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 410пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFI820GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 2.1A Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 2.1A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 360пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFIBE20GPBF Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 1.4 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 6.5 Ом Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 530пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFIBF20GPBF Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 1.2 А, 30 Вт, 8 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 1.2A Сопротивление открытого канала: 8 Ом Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 490пФ Тип монтажа: Through Hole
MRF137 Транзистор МОП высокочастотный 5….400МГц 30Вт 28В уровень 13дБ Производитель: MACOM Technology Solution Holdings, Inc. Напряжение исток-сток макс.: 28В Мощность макс.: 30Вт
SIHF5N50D-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 5.3 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 5.3A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 325пФ Тип монтажа: Through Hole
Новинка SIHF6N40D-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 6A Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Full Pack Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 1 Ом Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 311пФ Тип монтажа: Through Hole
STD12NF06L-1 MOSFET N-CH 60V 12A IPAK Производитель: ST Microelectronics Корпус: I-Pak Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12A(Tc) Сопротивление открытого канала: 100 мОм @ 6А, 10В Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В @ 250 µA Заряд затвора: 10нКл @ 5В Входная емкость: 350пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
STD12NF06LT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 12A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD12NF06T4 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 12 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 315пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD18NF03L Полевой транзистор N-канальный 30В 17A DPAK Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 6.5нКл Входная емкость: 320пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD1NK60-1 Транзистор полевой N-канальный 600В 1A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 8.5 Ом Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 156пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция STD6NF10T4 Транзистор полевой N-канальный 100В 6А 0.22 Ом Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 250 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 280пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"