Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (99)

Акция

IRFBA1404PPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 206A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SUPER-220[тм] (TO-273AA) Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 206A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3.7 мОм @ 95А, 10В Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 200нКл @ 10В Входная емкость: 7360пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

17 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 99,67₽

IRFP260MPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 50А 300Вт, 0.04 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 234нКл Входная емкость: 4057пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

316 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 126,42₽

IRFS3206TRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 3 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 170нКл Входная емкость: 6540пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

485 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 146,97₽

STP140NF55 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 80А 300Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 142нКл Входная емкость: 5300пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

278 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 78,47₽

STP75NF75 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 80А 300Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 160нКл Входная емкость: 3700пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

1 195 шт

Под заказ:

3 550 шт

Аналоги:

2 000 шт

Цена от:

от 51,58₽

STP80NF12 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 120В 80А 300Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 120В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 189нКл Входная емкость: 4300пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

100 шт

Под заказ:

10 шт

Цена от:

от 347,67₽

STP80NF55-08 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 80А 0,008Ом 300Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 155нКл Входная емкость: 3850пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

28 шт

Под заказ:

5 шт

Цена от:

от 186,85₽

AUIRF1324WL Транзистор полевой N-канальный 24В 240A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-262-3 Напряжение исток-сток макс.: 24В Ток стока макс.: 240A Сопротивление открытого канала: 1.3 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 180нКл Входная емкость: 7630пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

AUIRF2804S Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 195 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 240нКл Входная емкость: 6450пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRF2804STRL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 195A(Tc) Сопротивление открытого канала: 2 мОм @ 75А, 10В Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 240нКл @ 10В Входная емкость: 6450пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRF3805 Транзистор полевой N-канальный 55В 160A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 3.3 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 290нКл Входная емкость: 7960пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

AUIRF3805L Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 160 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 3.3 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 290нКл Входная емкость: 7960пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

AUIRF3805S Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 160 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 3.3 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 290нКл Входная емкость: 7960пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRFS3206 Транзистор полевой N-канальный 60В 210A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 3 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 170нКл Входная емкость: 6540пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRFS3206TRL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 210A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3 мОм @ 75А, 10В Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA Заряд затвора: 170нКл @ 10В Входная емкость: 6540пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRFS4310 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 75 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 250нКл Входная емкость: 7670пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BTS282ZE3180AATMA2 Транзистор полевой N-канальный 49В 80A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO263-7 Напряжение исток-сток макс.: 49В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Temperature Protection Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 232нКл Входная емкость: 4800пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BTS282ZE3230AKSA2 Полевой транзистор, N-канальный, 49 В, 80 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO220-7 Напряжение исток-сток макс.: 49В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Temperature Protection Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 232нКл Входная емкость: 4800пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

BUK7606-75B,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 75A D2PAK Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 75A(Tc) Сопротивление открытого канала: 5.6 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA Заряд затвора: 91нКл @ 10В Входная емкость: 7446пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK764R0-55B,118 Полевой транзистор N-канальный 55В 193A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 4 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 86нКл Входная емкость: 6776пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"