Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (44)
IRFP360LCPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 23А 280Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 23A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 280Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 3400пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFP360PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 23А 280Вт, 0.2 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 23A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 280Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 210нКл Входная емкость: 4500пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFP9140PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 21А 180Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 180Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 61нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFR014PBF Транзистор полевой N-канальный 60В 7.7А 25Вт, 0.2 Ом Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 7.7A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR014TRLPBF Транзистор полевой N-канальный 60В 7.7A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 7.7A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR014TRPBF Транзистор полевой N-канальный 60В 7.7A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 7.7A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFU014PBF Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 7.7 А Производитель: Vishay Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 7.7A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFZ14PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 10А 43Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 43Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Through Hole
IRLD014PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.7A Производитель: Vishay Корпус: HVMDIP-4 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.4нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Through Hole
IRLIZ14GPBF Транзистор полевой N-канальный 60В 8A Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 27Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.4нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Through Hole
IRLL014TRPBF Транзистор полевой N-канальный 60В 2.7A Производитель: Vishay Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.4нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRLR014PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7.7A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 7.7A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.4нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRLR014TRPBF Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 7.7 А Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 7.7A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.4нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRLU014PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7.7A Производитель: Vishay Корпус: TO-251AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 7.7A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.4нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRLZ14PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 10А 43Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 43Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.4нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Through Hole
IRLZ14SPBF Транзистор полевой N-канальный 60В 10A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.4нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Surface Mount
NDS356AP Транзистор полевой P-канальный 30В 1.1A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.1A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 4.4нКл Входная емкость: 280пФ Тип монтажа: Surface Mount
NDT014 Транзистор полевой N-канальный 60В 2.7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 155пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTR4502PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.13А 1.25Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.13A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 400мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Surface Mount
NVTR4502PT1G Транзистор полевой P-канальный 30В 1.95A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.13A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 400мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"