Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3510)
Chassis Mount (4)
Through Hole (1888)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (40)

Акция

IRF5305SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 31А 3.8Вт, 0.06 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

31A

Сопротивление открытого канала:

60 мОм

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

63нКл

Входная емкость:

1200пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

2 244 шт

Цена от:

от 62,34₽

Акция

IRF7204PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5.3А 2.5Вт, 0.06 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

5.3A

Сопротивление открытого канала:

60 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

860пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

2 031 шт

Цена от:

от 14,23₽

Акция

IRF7452PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.5А 2.5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

4.5A

Сопротивление открытого канала:

60 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В

Заряд затвора:

50нКл

Входная емкость:

930пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

9 шт

Цена от:

от 234,96₽

Акция

IRLL024ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 5А 2.8Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SOT-223

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

60 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

11нКл

Входная емкость:

380пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

3 875 шт

Цена от:

от 44,04₽

IXTQ50N25T Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50А 250В 60мОм [TO-3P]

Производитель:

IXYS Corporation

Корпус:

TO-3P

Напряжение исток-сток макс.:

250В

Ток стока макс.:

50A

Сопротивление открытого канала:

60 мОм

Мощность макс.:

400Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

78нКл

Входная емкость:

4000пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

NTGS4111PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 2.6А 2Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

6-TSOP

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

2.6A

Сопротивление открытого канала:

60 мОм

Мощность макс.:

630мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

32нКл

Входная емкость:

750пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTJS3151PT1G Полевой транзистор, P-канальный, 12 В, 2.7 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-363

Напряжение исток-сток макс.:

12В

Ток стока макс.:

2.7A

Сопротивление открытого канала:

60 мОм

Мощность макс.:

625мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

400mВ

Заряд затвора:

8.6нКл

Входная емкость:

850пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTJS3157NT1G Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 3.2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-363

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

3.2A

Сопротивление открытого канала:

60 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

500пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

NTJS4151PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.3А 0.1Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-88/SC70-6/SOT-363

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

3.3A

Сопротивление открытого канала:

60 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.2В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

850пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2304DDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.3А 1.7Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

3.3A

Сопротивление открытого канала:

60 мОм

Мощность макс.:

1.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

6.7нКл

Входная емкость:

235пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

SI3443BDV-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.4А 1.1Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

TSOP-6

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

3.6A

Сопротивление открытого канала:

60 мОм

Мощность макс.:

1.1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.4В

Заряд затвора:

9нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3443CDV-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 20В 5.97A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-6

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

5.97A

Сопротивление открытого канала:

60 мОм

Мощность макс.:

3.2Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

12.4нКл

Входная емкость:

610пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3443CDV-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 20В 5.97А 2Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-6

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

5.97A

Сопротивление открытого канала:

60 мОм

Мощность макс.:

3.2Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

12.4нКл

Входная емкость:

610пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STW55NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 51А 350Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-247

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

51A

Сопротивление открытого канала:

60 мОм

Мощность макс.:

350Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

190нКл

Входная емкость:

5800пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SUD19P06-60-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 18.3A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

18.3A

Сопротивление открытого канала:

60 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

40нКл

Входная емкость:

1710пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUD19P06-60-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 18.3A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

18.3A

Сопротивление открытого канала:

60 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

40нКл

Входная емкость:

1710пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUP40N25-60-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 40 А

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

250В

Ток стока макс.:

40A

Сопротивление открытого канала:

60 мОм

Мощность макс.:

3.75Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

140нКл

Входная емкость:

5000пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

TSM3401CX RFG Транзистор полевой P-канальный 30В 3A 3-Pin SOT-23 лента на катушке

Производитель:

Taiwan Semiconductor Co., Ltd

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

60 мОм

Мощность макс.:

1.25Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

±20В

Заряд затвора:

2.7нКл

Входная емкость:

551.57пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN2A14FTA Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 3.4 А

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT23-3

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

3.4A

Сопротивление открытого канала:

60 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

700mВ

Заряд затвора:

6.6нКл

Входная емкость:

544пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMP4A16GTA Транзистор полевой P-канальный 40В 6.4A

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-223

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

4.6A

Сопротивление открытого канала:

60 мОм

Мощность макс.:

2Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

26.1нКл

Входная емкость:

1007пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"