Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (31)
MTB50P03HDLT4G Транзистор полевой P-канальный 30В 50A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 100нКл Входная емкость: 4900пФ Тип монтажа: Surface Mount
NDP6060 Транзистор полевой N-канальный 60В 48A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 48A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 100Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Through Hole
NTGS4141NT1G Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 3.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 560пФ Тип монтажа: Surface Mount
PHP45NQ10T,127 Транзистор полевой N-канальный 100В 47A Производитель: NEXPERIA Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 47A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 61нКл Входная емкость: 2600пФ Тип монтажа: Through Hole
SI7414DN-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 60В 5.6A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 5.6A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 25нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI7414DN-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 60В 5.6A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 5.6A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 25нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI7469DP-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 28A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 160нКл Входная емкость: 4700пФ Тип монтажа: Surface Mount
Новинка SI7469DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 28A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 160нКл Входная емкость: 4700пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI7611DN-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 18 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 39Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 62нКл Входная емкость: 1980пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD30NF03LT4 Транзистор полевой N-канальный 30В 30A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 830пФ Тип монтажа: Surface Mount
ZXM66P03N8TA Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 7.9 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6.25A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 1.56Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 1979пФ Тип монтажа: Surface Mount
  • 1
  • 2
  • Далее
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"