Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (40)
Акция IRFPC50PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11А 180Вт, 0.6 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 180Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 140нКл Входная емкость: 2700пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFR220NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 5.0А 43Вт, 0.5 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 43Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
13 434 шт
Цена от:
от 17,67
IRFR9120PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 5.6A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 5.6A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 390пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR9120TRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 5.6A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 5.6A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 390пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR9120TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 5.6A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 5.6A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 390пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFU220NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 5A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 43Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFU9120PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 5.6А 42Вт, 0.60 Ом Производитель: Vishay Корпус: I-Pak (TO-251AA) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 5.6A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 390пФ Тип монтажа: Through Hole
SIHD6N65E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 7 А Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 78Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 820пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIHP7N60E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 7 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 78Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 680пФ Тип монтажа: Through Hole
SPD07N60C3ATMA1 Транзистор полевой N-канальный 600В 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO252-3 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 7.3A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 790пФ Тип монтажа: Surface Mount
SPD08N50C3ATMA1 Транзистор полевой N-канальный 500В 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO252-3 Напряжение исток-сток макс.: 560В Ток стока макс.: 7.6A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 750пФ Тип монтажа: Surface Mount
SPP07N60C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7.3A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO220-3 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 7.3A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 790пФ Тип монтажа: Through Hole
STB10N60M2 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 7.5 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 7.5A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 85Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 13.5нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция STB8N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 690пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD10N60M2 Транзистор полевой N-канальный 600В Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 7.5A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 85Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 13.5нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Surface Mount
STF10N60M2 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 7.5A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 13.5нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Through Hole
STP10N60M2 Транзистор полевой N-канальный 600В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 7.5A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 85Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 13.5нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция STP8N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7А 0.56 Ом, 25Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 690пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция STU8N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 690пФ Тип монтажа: Through Hole
ZXM61P02FTA Транзистор полевой P-канальный 20В 900мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 900мА Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 625мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 3.5нКл Входная емкость: 150пФ Тип монтажа: Surface Mount
  • 1
  • 2
  • Далее
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"