Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (46)

IPA50R190CEXKSA2 Полевой транзистор N-канальный 500В 24.8A туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 18.5A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 32Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Super Junction Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 47.2нКл Входная емкость: 1137пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IPA60R190P6XKSA1 Полевой транзистор N-канальный 600В 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 20.2A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 34Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 37нКл Входная емкость: 1750пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IPB60R190C6ATMA1 Транзистор полевой N-канальный 600В 20.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO263-2 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 20.2A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 151Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IPP65R190CFDXKSA1 Полевой транзистор N-канальный 650В 17.5A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 17.5A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 151Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 68нКл Входная емкость: 1850пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IPW65R190CFDFKSA1 Полевой транзистор N-канальный 650В 17.5A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 17.5A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 151Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 68нКл Входная емкость: 1850пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IPW65R190E6FKSA1 Транзистор полевой N-канальный 650В 20,2A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 20.2A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 151Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 73нКл Входная емкость: 1620пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFR120ZPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 8.7А 35Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 8.7A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 310пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR120ZTRPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 8.7A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 8.7A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 310пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2303CDS-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 30В 2.7A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 8нКл Входная емкость: 155пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SPB20N60C3ATMA1 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 20.7 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 20.7A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 114нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SPB20N60S5ATMA1 Транзистор полевой N-канальный 600В 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 103нКл Входная емкость: 3000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SPP21N50C3XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 500В 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 560В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 95нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

SPW20N60S5FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 103нКл Входная емкость: 3000пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

STB21N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 17.5А 0.199 Ом Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 1950пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB24NM60N Транзистор полевой N-канальный 600В 17A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STF20N65M5 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 18 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 1345пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STF23NM50N Транзистор полевой N-канальный 550В 17А 30Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 1330пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STF24N60M2 Транзистор полевой N-канальный 600В 18A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220FP Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 1060пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STF24NM60N Транзистор полевой N-канальный 650В 17A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STFW24N60M2 Транзистор полевой N-канальный 600В 18A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-3PF Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 1060пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"