Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (47)
Акция IRF840STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8А 125Вт, 0.85 Ом Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 850 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFBC40PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.2А 125Вт, 1.2 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFBC40SPBF Транзистор полевой N-канальный 600В 6.2А 3.1Вт Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFBC40STRLPBF Транзистор полевой N-канальный 600В 6.2A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFBE30PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4.1А 125Вт, 3 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 78нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFBE30SPBF Транзистор полевой N-канальный 800В 4.1A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 78нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRFI640GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.8А 40Вт, 0.18 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9.8A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFI644GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 7.9А 40Вт 0.28 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 7.9A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 68нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFI840GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4.6А 40Вт, 0.85 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 4.6A Сопротивление открытого канала: 850 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 67нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFIBC40GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.5А 40Вт, 1.2 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFIBE30GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 2.1A Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 2.1A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 78нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFP240PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 20А 150Вт, 0.18 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFP440PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8.8A Производитель: Vishay Корпус: TO-247-3 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 8.8A Сопротивление открытого канала: 850 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFPC40PBF Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 6.8 А Производитель: Vishay Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 6.8A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFPE30PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4.1A Производитель: Vishay Корпус: TO-247-3 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 78нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFR1205PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 44А 107Вт, 0.027 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 44A Сопротивление открытого канала: 27 мОм Мощность макс.: 107Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
23 113 шт
Цена от:
от 38,05
IRFR1205TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 44A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 44A Сопротивление открытого канала: 27 мОм Мощность макс.: 107Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
23 113 шт
Цена от:
от 38,05
SI3433CDV-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 20В 6A Производитель: Vishay Корпус: 6-TSOP Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 38 мОм Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI8499DB-T2-E1 Транзистор полевой P-канальный 20В 16A Производитель: Vishay Корпус: 6-Micro Foot[тм] Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 32 мОм Мощность макс.: 13Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.3В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIA461DJ-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 12 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SC-70-6 Single Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 17.9Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"