Одиночные MOSFET транзисторы

51
Заряд затвора: 38нКл
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (51)
IRF840ALPBF IRF840ALPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
I2PAK
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
850 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1018пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRF840APBF IRF840APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8А 125Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
850 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1018пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRF840ASPBF IRF840ASPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8А 3.1Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
850 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1018пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRF840ASTRLPBF IRF840ASTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
850 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1018пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF840ASTRRPBF IRF840ASTRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
850 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1018пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRF9333PBF IRF9333PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 9.2А 2.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOIC8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
9.2A
Сопротивление открытого канала:
19.4 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1110пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
729 шт
Цена от:
от 7,28
Акция
IRF9530PBF IRF9530PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 12А 88Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
300 мОм
Мощность макс.:
88Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
860пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRF9530SPBF IRF9530SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 12А 88Вт, 0.3 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
300 мОм
Мощность макс.:
3.7Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
860пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF9530STRLPBF IRF9530STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 12A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
300 мОм
Мощность макс.:
3.7Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
860пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRFBE20PBF IRFBE20PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1.8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
1.8A
Сопротивление открытого канала:
6.5 Ом
Мощность макс.:
54Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
530пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFBF20LPBF IRFBF20LPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 1.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
I2PAK
Напряжение исток-сток макс.:
900В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
8 Ом
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
490пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFBF20PBF IRFBF20PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 1.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
900В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
8 Ом
Мощность макс.:
54Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
490пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Новинка
IRFBF20SPBF IRFBF20SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 1.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
900В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
8 Ом
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
490пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRFBF20STRLPBF IRFBF20STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 1.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
900В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
8 Ом
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
490пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRFBG20PBF IRFBG20PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 1.4А 54Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
1.4A
Сопротивление открытого канала:
11 Ом
Мощность макс.:
54Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRFI830GPBF IRFI830GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 3.1A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
3.1A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
610пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRFI9530GPBF IRFI9530GPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 7.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
7.7A
Сопротивление открытого канала:
300 мОм
Мощность макс.:
42Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
860пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRFI9634GPBF IRFI9634GPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 4.1A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
250В
Ток стока макс.:
4.1A
Сопротивление открытого канала:
1 Ом
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
680пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFIBE20GPBF IRFIBE20GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1.4A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220-3
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
1.4A
Сопротивление открытого канала:
6.5 Ом
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
530пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFIBF20GPBF IRFIBF20GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 1.2А 30Вт, 8 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
900В
Ток стока макс.:
1.2A
Сопротивление открытого канала:
8 Ом
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
490пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67983 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"