Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (4)
Through Hole (1889)
Surface Mount (3522)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (45)

IPD65R660CFDATMA1 Полевой транзистор N-канальный 650В 6A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 660 мОм Мощность макс.: 62.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 615пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IPP65R660CFD Полевой транзистор N-канальный 650В 6A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 660 мОм Мощность макс.: 62.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 615пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRF730APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 5.5A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 5.5A Сопротивление открытого канала: 1 Ом Мощность макс.: 74Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 600пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF730ASPBF Транзистор полевой N-канальный 400В 5.5A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 5.5A Сопротивление открытого канала: 1 Ом Мощность макс.: 74Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7422D2PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4.3A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4.3A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Diode (Isolated) Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 610пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF9620PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 3.5А 40Вт, 1.5 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF9620STRLPBF Полевой транзистор, P-канальный, 200 В, 3.5 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFM120ATF Транзистор полевой N-канальный 100В 2.3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 2.3A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 480пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NDS9407 Транзистор полевой P-канальный 60В 3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 732пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD18N06LT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 18A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 55Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 675пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTF3055-100T1G Транзистор полевой N-канальный 60В 3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 455пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7309DN-T1-E3 Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 8 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 115 мОм Мощность макс.: 19.8Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI9407BDY-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 60В 4.7A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 4.7A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI9407BDY-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 60В 4.7A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 4.7A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB10N95K5 Транзистор полевой N-канальный 950В 8A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 950В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 630пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD12N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 8.5A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 8.5A Сопротивление открытого канала: 430 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD15N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 11A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 340 мОм Мощность макс.: 85Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 816пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STF15N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 11A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 340 мОм Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 816пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STF4N62K3 Полевой транзистор, N-канальный, 620 В, 3.8 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 620В Ток стока макс.: 3.8A Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STL15N65M5 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 10 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 375 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 816пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7128 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"