Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1888)
Surface Mount (3512)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (42)

FQP12P10 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 11.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

11.5A

Сопротивление открытого канала:

290 мОм

Мощность макс.:

75Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

27нКл

Входная емкость:

800пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP17P06 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 17A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

120 мОм

Мощность макс.:

79Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

27нКл

Входная емкость:

900пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF12P10 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 8.2А 75Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

8.2A

Сопротивление открытого канала:

290 мОм

Мощность макс.:

75Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

27нКл

Входная емкость:

800пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF9520NSPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 6.8A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

6.8A

Сопротивление открытого канала:

480 мОм

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

27нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFR4105ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 30A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

24.5 мОм

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

27нКл

Входная емкость:

740пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR4105ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 30A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

24.5 мОм

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

27нКл

Входная емкость:

740пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFR9120NPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 6.5А 39Вт, 0.48 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

6.6A

Сопротивление открытого канала:

480 мОм

Мощность макс.:

40Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

27нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

11 006 шт

Цена от:

от 27,90₽

Акция

IRFR9N20DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.4А 86Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

9.4A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

86Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В

Заряд затвора:

27нКл

Входная емкость:

560пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 637 шт

Цена от:

от 54,54₽

IRLR8103VPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 91A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

91A

Сопротивление открытого канала:

9 мОм

Мощность макс.:

115Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

27нКл

Входная емкость:

2672пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

MTP2P50EG Полевой транзистор, P-канальный, 500 В, 2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

6 Ом

Мощность макс.:

75Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

27нКл

Входная емкость:

1183пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SI4174DY-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 30В 17A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOIC8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

9.5 мОм

Мощность макс.:

5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

27нКл

Входная емкость:

985пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4850EY-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 60В 6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

22 мОм

Мощность макс.:

1.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

27нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4850EY-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 60В 6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

22 мОм

Мощность макс.:

1.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

27нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7106DN-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 20В 12.5A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® 1212-8

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

12.5A

Сопротивление открытого канала:

6.2 мОм

Мощность макс.:

1.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

27нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7850DP-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 6.2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

6.2A

Сопротивление открытого канала:

22 мОм

Мощность макс.:

1.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

27нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7850DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 6.2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

6.2A

Сопротивление открытого канала:

22 мОм

Мощность макс.:

1.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

27нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI8489EDB-T2-E1 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В

Производитель:

Vishay

Корпус:

Microfoot4

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Сопротивление открытого канала:

44 мОм

Мощность макс.:

780мВт

Тип транзистора:

P-канальный

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.2В

Заряд затвора:

27нКл

Входная емкость:

765пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SPD07N60C3ATMA1 Транзистор полевой N-канальный 600В 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO252-3

Напряжение исток-сток макс.:

650В

Ток стока макс.:

7.3A

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

83Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В

Заряд затвора:

27нКл

Входная емкость:

790пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SPP07N60C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7.3A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO220-3

Напряжение исток-сток макс.:

650В

Ток стока макс.:

7.3A

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

83Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В

Заряд затвора:

27нКл

Входная емкость:

790пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SQ3469EV-T1_GE3 Полевой транзистор P-канальный 20В 8A автомобильного применения 6-Pin TSOP лента на катушке

Производитель:

Vishay

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

36 мОм

Мощность макс.:

5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

±20В

Заряд затвора:

27нКл

Входная емкость:

1020пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"