Одиночные MOSFET транзисторы

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Through Hole(1888)
Surface Mount(3523)
Chassis Mount(4)

Умный фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (40)

IPD50N04S308ATMA1 Транзистор полевой N-канальный 40В 50A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм Мощность макс.: 68Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 2350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF630NSPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 9.3А 3.1Вт, 0.3 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9.3A Сопротивление открытого канала: 300 мОм Мощность макс.: 82Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 575пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

7 шт

Цена от:

от 115,46₽

IRF9Z34NSPBF Транзистор полевой P-канальный 55В 19А 68Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 620пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

3 784 шт

Цена от:

от 26,91₽

IRF9Z34NSTRRPBF Транзистор полевой P-канальный 55В 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 620пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

3 784 шт

Цена от:

от 56,58₽

Акция

IRFL4105PBF Транзистор полевой N-канальный 55В 3.7А 2.1Вт, 0.045 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 3.7A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 660пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

773 шт

Цена от:

от 36,96₽

IRL8113PBF Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 105 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 105A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 2840пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRL8113SPBF Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 105 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 105A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 2840пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRLR2905ZPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 42А 110Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 13.5 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1570пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

38 484 шт

Цена от:

от 37,58₽

IRLU2905ZPBF Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 42 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 13.5 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1570пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

NDP6020P Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 24 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1590пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

NTD6415ANLT4G Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 23 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 23A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1024пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTHS4101PT1G Транзистор полевой P-канальный 20В 4.8А 1.3Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: ChipFET[тм] Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4.8A Сопротивление открытого канала: 34 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 2100пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTMS5P02R2G Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 3.95 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.95A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 790мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.25В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1900пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2333DDS-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 12В 6A Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1275пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIA441DJ-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 40В 12A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SC-70-6 Single Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 47 мОм Мощность макс.: 19Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 890пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR424DP-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 20В 30A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 5.5 мОм Мощность макс.: 41.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1250пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

STB18NM60N Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 13 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 285 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STL18NM60N Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 6 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: PowerFLAT 8x8 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 2.1A Сопротивление открытого канала: 310 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STP12NK30Z Транзистор полевой N-канальный 300В 9A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 670пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STW18NM60N Транзистор полевой N-канальный 600В 13A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 285 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"