Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1887)
Surface Mount (3510)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (40)

IPD50N04S308ATMA1 Транзистор полевой N-канальный 40В 50A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

50A

Сопротивление открытого канала:

7.5 мОм

Мощность макс.:

68Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

±20В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

2350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF630NSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.3А 3.1Вт, 0.3 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

9.3A

Сопротивление открытого канала:

300 мОм

Мощность макс.:

82Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

575пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 307 шт

Цена от:

от 75,78₽

IRF9Z34NSPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 19А 68Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

19A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

620пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

3 853 шт

Цена от:

от 26,91₽

IRF9Z34NSTRRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

19A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

620пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

3 853 шт

Цена от:

от 48,72₽

Акция

IRFL4105PBF Транзистор полевой N-канальный 55В 3.7А 2.1Вт, 0.045 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SOT-223

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

3.7A

Сопротивление открытого канала:

45 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

660пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

381 шт

Цена от:

от 27,84₽

IRL8113PBF Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 105 А

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

105A

Сопротивление открытого канала:

6 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.25В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

2840пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRL8113SPBF Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 105 А

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

105A

Сопротивление открытого канала:

6 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.25В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

2840пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRLR2905ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42А 110Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

42A

Сопротивление открытого канала:

13.5 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

1570пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

24 408 шт

Цена от:

от 30,48₽

IRLU2905ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-251

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

42A

Сопротивление открытого канала:

13.5 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

1570пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

NDP6020P Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 24 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

24A

Сопротивление открытого канала:

50 мОм

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

1590пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

NTD6415ANLT4G Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 23 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

23A

Сопротивление открытого канала:

52 мОм

Мощность макс.:

83Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

1024пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTHS4101PT1G Транзистор полевой P-канальный 20В 4.8А 1.3Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

ChipFET[тм]

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

4.8A

Сопротивление открытого канала:

34 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

2100пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTMS5P02R2G Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 3.95 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

3.95A

Сопротивление открытого канала:

33 мОм

Мощность макс.:

790мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.25В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

1900пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2333DDS-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 12В 6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT23-3

Напряжение исток-сток макс.:

12В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

1.7Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 1.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

1275пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIA441DJ-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 40В 12A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SC-70-6 Single

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

47 мОм

Мощность макс.:

19Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

890пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR424DP-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 20В 30A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

5.5 мОм

Мощность макс.:

41.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

1250пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

STB18NM60N Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 13 А

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

13A

Сопротивление открытого канала:

285 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

1000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STL18NM60N Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 6 А

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

PowerFLAT 8x8

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

2.1A

Сопротивление открытого канала:

310 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

1000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STP12NK30Z Транзистор полевой N-канальный 300В 9A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

300В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

400 мОм

Мощность макс.:

90Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

670пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STW18NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 13A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-247-3

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

13A

Сопротивление открытого канала:

285 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

1000пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"