Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (50)

FQP8N90C Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 6.3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 6.3A Сопротивление открытого канала: 1.9 Ом Мощность макс.: 171Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 2080пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF8N80C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 8А 59Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 1.55 Ом Мощность макс.: 59Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 2050пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF8N80CYDTU Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 1.55 Ом Мощность макс.: 59Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 2050пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF8N90C Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 6.3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 6.3A Сопротивление открытого канала: 1.9 Ом Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 2080пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IPW65R280E6FKSA1 Полевой транзистор N-канальный 700В 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 13.8A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 950пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRF7862PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 21А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 3.7 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 4090пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

545 шт

Цена от:

от 60,16₽

Акция

IRFR24N15DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 24А 140Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 95 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 890пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 619 шт

Цена от:

от 57,91₽

IRFR3504ZTRPBF Транзистор полевой N-канальный 40В 42A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 1510пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3433CDV-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 20В 6A Производитель: Vishay Корпус: 6-TSOP Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 38 мОм Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7120ADN-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 6 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 21 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 45нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7852ADP-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 30 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 17 мОм Мощность макс.: 62.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 1825пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIA461DJ-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 12 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SC-70-6 Single Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 17.9Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIA483DJ-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 12 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SC-70-6 Single Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 21 мОм Мощность макс.: 19Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 1550пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

SISA12ADN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 25A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 25A Сопротивление открытого канала: 4.3 мОм Мощность макс.: 28Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 2070пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB31N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 22A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 148 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 1865пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

STD60N55F3 Транзистор полевой N-канальный 55В 65A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 2200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD65N55F3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 65A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 2200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD7NS20T4 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 7 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 540пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD80N10F7 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 70 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 70A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 85Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 3100пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STF20N65M5 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 18 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 1345пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"