Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount(3523)
Chassis Mount(4)
Through Hole(1888)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (47)

FQB22P10TM Транзистор полевой P-канальный 100В 22A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 3.75Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 1500пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQPF22P10 Полевой транзистор P-канальный 100В 13.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 13.2A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 1500пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF6648TRPBF Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 86 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MN Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 86A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 2120пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF7404PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 6.7А 2.5Вт, 0.04 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6.7A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 1500пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

3 573 шт

Цена от:

от 35,77₽

Акция

IRF7452PBF Транзистор полевой N-канальный 100В 4.5А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 930пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

103 шт

Цена от:

от 258,21₽

Акция

IRF7842PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 18А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 5 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 4500пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

16 273 шт

Цена от:

от 72,66₽

Акция

IRLL3303PBF Транзистор полевой N-канальный 30В 4.6A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 4.6A Сопротивление открытого канала: 31 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 840пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

531 шт

Цена от:

от 291,73₽

IRLR3103PBF Транзистор полевой N-канальный 30В 55А 69Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 55A Сопротивление открытого канала: 19 мОм Мощность макс.: 107Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 1600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

2 035 шт

Цена от:

от 140,41₽

Акция

IRLR7833PBF Транзистор полевой N-канальный 30В 140А 140Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 140A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 4010пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 468 шт

Цена от:

от 76,96₽

Акция

IRLR7843PBF Транзистор полевой N-канальный 30В 161А 140Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 161A Сопротивление открытого канала: 3.3 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 4380пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 070 шт

Цена от:

от 12,36₽

NTB25P06T4G Транзистор полевой P-канальный 60В 27.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 27.5A Сопротивление открытого канала: 82 мОм Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 1680пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4420BDY-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 30В 9.5A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 9.5A Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм Мощность макс.: 1.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 50нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4434DY-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 250В 2.1A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 2.1A Сопротивление открытого канала: 155 мОм Мощность макс.: 1.56Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 50нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4434DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 2.1A Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 2.1A Сопротивление открытого канала: 155 мОм Мощность макс.: 1.56Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 50нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4435DDY-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 30В 11.4A Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11.4A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4435DDY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 11.4А 5Вт Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11.4A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4442DY-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 40В 7.2A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 50нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4840BDY-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 19 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4840BDY-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 19 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7434DP-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 2.3 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 2.3A Сопротивление открытого канала: 155 мОм Мощность макс.: 1.9Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 50нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"