Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (40)

IRFD9010PBF Полевой транзистор, P-канальный, 50 В, 1.1 А Производитель: Vishay Корпус: DIP-4 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 1.1A Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 240пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFIZ14GPBF Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 8 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 27Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFL014NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.7А 2.0Вт, 0.2 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 1.9A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 190пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

6 849 шт

Цена от:

от 26,92₽

Акция

IRFL014PBF Транзистор полевой N-канальный 60В 2.7А 2.0Вт, 0.2 Ом Производитель: Vishay Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFL014TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.7А 2.0Вт, 0.2 Ом Производитель: Vishay Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFR014PBF Транзистор полевой N-канальный 60В 7.7А 25Вт, 0.2 Ом Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 7.7A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR014TRLPBF Транзистор полевой N-канальный 60В 7.7A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 7.7A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR014TRPBF Транзистор полевой N-канальный 60В 7.7A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 7.7A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFU014PBF Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 7.7 А Производитель: Vishay Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 7.7A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFZ14PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 10А 43Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 43Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRLL024ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 5А 2.8Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 380пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 144 шт

Цена от:

от 50,15₽

IRLMS5703TRPBF Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 2.4 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: Micro6[тм](TSOP-6) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.4A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 170пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRLR3715ZPBF Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 49 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 49A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.55В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 810пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRLR7807ZTRPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 43A Сопротивление открытого канала: 13.8 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 780пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

101 шт

Цена от:

от 54,15₽

NDT014 Транзистор полевой N-канальный 60В 2.7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 155пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

PMV48XPAR Транзистор полевой P-канальный 20В 3.5A Aвтомобильного применения 3-Pin TO-236AB лента на катушке Производитель: NEXPERIA Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 510мВт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±12В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

PMXB120EPEZ Транзистор полевой P-канальный 30В 2.4A Производитель: NEXPERIA Корпус: 3-DFN (1.1x1) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.4A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 400мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 309пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3458BDV-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 60В 3.2A 6-Pin TSOP лента на катушке Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STP4N52K3 Транзистор полевой N-канальный 525В 2.5A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 525В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 2.6 Ом Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 334пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STU4N52K3 Транзистор полевой N-канальный 525В 2.5A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 525В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 2.6 Ом Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 334пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"