Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (59)

FQPF6N90C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 6А 56Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 2.3 Ом Мощность макс.: 56Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1770пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRF7205PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 4.6А 2.5Вт, 0.07 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 4.6A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 870пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 157 шт

Цена от:

от 29,61₽

IRL630PBF Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 9 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 74Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRL630SPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 9A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRL630STRLPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 9A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRL630STRRPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 9A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NDT454P Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 5.9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5.9A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.7В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 950пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD4804NT4G Транзистор полевой N-канальный 30В 19.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 14.5A Сопротивление открытого канала: 4 мОм Мощность макс.: 1.43Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 4490пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD6414ANT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 32A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 32A Сопротивление открытого канала: 37 мОм Мощность макс.: 100Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1450пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVD6416ANLT4G-VF01 Полевой транзистор N-канальный 100В 19A DPAK Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 74 мОм Мощность макс.: 71Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

RFD14N05L Транзистор полевой N-канальный 50В 14A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 670пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

RFD14N05LSM Транзистор полевой N-канальный 50В 14A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 670пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

RFD14N05LSM9A Транзистор полевой N-канальный 50В 14A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 670пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

RFD14N05SM9A Транзистор полевой N-канальный 50В 14A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 570пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7465DP-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 60В 3.2A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 64 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 40нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7465DP-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 60В 3.2A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 64 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 40нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI8424CDB-T1-E1 Полевой транзистор, N-канальный, 8 В Производитель: Vishay Корпус: Microfoot4 Напряжение исток-сток макс.: 8В Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: N-канальный Особенности: Logic Level Gate, 1.2V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 2340пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIHP7N60E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 7 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 78Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 680пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

SIS434DN-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 40В 35A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 7.6 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1530пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB15NM60ND Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 14 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 299 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1250пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"