Одиночные MOSFET транзисторы

55
Заряд затвора: 40нКл
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (55)
FQPF6N90C FQPF6N90C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 6А 56Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
900В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
2.3 Ом
Мощность макс.:
56Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1770пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRF7205PBF IRF7205PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 4.6А 2.5Вт, 0.07 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
4.6A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
870пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 536 шт
Цена от:
от 23,64
NDT454P NDT454P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-3
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
5.9A
Сопротивление открытого канала:
50 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.7В
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
950пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTD4804NT4G NTD4804NT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 19.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
14.5A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
1.43Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
4490пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTD6414ANT4G NTD6414ANT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 32A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
32A
Сопротивление открытого канала:
37 мОм
Мощность макс.:
100Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1450пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NVD6416ANLT4G-VF01 NVD6416ANLT4G-VF01 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 19A DPAK
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
74 мОм
Мощность макс.:
71Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
RFD14N05L RFD14N05L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 14A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
670пФ
Тип монтажа:
Through Hole
RFD14N05LSM RFD14N05LSM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 14A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
670пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
RFD14N05LSM9A RFD14N05LSM9A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 14A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
670пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
RFD14N05SM9A RFD14N05SM9A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 14A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
570пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7465DP-T1-E3 SI7465DP-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 3.2A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
3.2A
Сопротивление открытого канала:
64 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7465DP-T1-GE3 SI7465DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 3.2A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
3.2A
Сопротивление открытого канала:
64 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
SI8424CDB-T1-E1 SI8424CDB-T1-E1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 8В
Производитель:
Vishay
Корпус:
Microfoot4
Напряжение исток-сток макс.:
Сопротивление открытого канала:
20 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Особенности:
Logic Level Gate, 1.2V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
800mВ
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
2340пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIHP7N60E-GE3 SIHP7N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
78Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
680пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIS434DN-T1-GE3 SIS434DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 35A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
7.6 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1530пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB15NM60ND STB15NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 14A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
299 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB20N95K5 STB20N95K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 17.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
950В
Ток стока макс.:
17.5A
Сопротивление открытого канала:
330 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB25N80K5 STB25N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 19.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DBІPAK
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
19.5A
Сопротивление открытого канала:
260 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STF15N95K5 STF15N95K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 12A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение исток-сток макс.:
950В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
500 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STF15NM60ND STF15NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 14A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
299 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1250пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68714 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"