Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (57)
FQPF5N50 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 1.8 Ом Мощность макс.: 39Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 610пФ Тип монтажа: Through Hole
FQU11P06TU Транзистор полевой P-канальный 60В 9.4A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 9.4A Сопротивление открытого канала: 185 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF5805TRPBF Транзистор полевой P-канальный 30В 3.8A 6-Pin TSOP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: Micro6[тм](TSOP-6) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.8A Сопротивление открытого канала: 98 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 511пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF6623TRPBF Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 16 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] ST Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 5.7 мОм Мощность макс.: 1.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 1360пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF6811STRPBF Транзистор полевой N-канальный 25В 19A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] SQ Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 3.7 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 1590пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF710PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 2А 36Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 3.6 Ом Мощность макс.: 36Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 170пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF710SPBF Транзистор полевой N-канальный 400В 2A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 3.6 Ом Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 170пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF7807APBF Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 8.3 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8.3A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17нКл Тип монтажа: Surface Mount
IRF7807TRPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 8.3A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8.3A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17нКл Тип монтажа: Surface Mount
IRF820ALPBF Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 2.5 А Производитель: Vishay Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF820APBF Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 2.5 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFR420APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 3.3A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 3.3A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRFR420ATRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 3.3A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 3.3A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRFU420APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 3.3А 83Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-251AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 3.3A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Through Hole
MTD3055V Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 12 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 500пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI2319DS-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 40В 2.3A 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 2.3A Сопротивление открытого канала: 82 мОм Мощность макс.: 750мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 470пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI2337DS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 2.2A Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 2.2A Сопротивление открытого канала: 270 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 500пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI8812DB-T2-E1 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В Производитель: Vishay Корпус: Microfoot4 Напряжение исток-сток макс.: 20В Сопротивление открытого канала: 59 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: N-канальный Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17нКл Тип монтажа: Surface Mount
SPD03N60C3ATMA1 Транзистор полевой N-канальный 650В 3.2A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO252-3 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Surface Mount
SPP03N60C3XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 650В 3.2A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"