Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (51)

IRF9Z24NSPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 12A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 175 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF9Z24NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 12A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 175 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF9Z24PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 11А 60Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 570пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF9Z24SPBF Транзистор полевой P-канальный 60В 11A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 570пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF9Z24STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 11A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 570пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFD9020PBF Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 1.6 А Производитель: Vishay Корпус: DIP-4 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.6A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 570пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFD9024PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.6А 1.3Вт, 0.28 Ом Производитель: Vishay Корпус: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.6A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 570пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFL4315PBF Транзистор полевой N-канальный 150В 2.6А 2.8Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 2.6A Сопротивление открытого канала: 185 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 420пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

4 317 шт

Цена от:

от 31,77₽

IRFR420PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 2.4А 42Вт, 3.0 Ом Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 2.4A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 360пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR420TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 2.4А 42Вт, 3.0 Ом Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 2.4A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 360пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR420TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 2.4А 42Вт, 3.0 Ом Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 2.4A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 360пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFR9024NPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 8.8А 42Вт, 0.28 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 175 мОм Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

308 554 шт

Цена от:

от 11,71₽

IRFR9024NTRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 11A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 175 мОм Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

308 554 шт

Цена от:

от 11,71₽

IRFR9024PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 8.8А 42Вт, 0.28 Ом Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 8.8A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 570пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR9024TRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 8.8A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 8.8A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 570пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR9024TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 8.8A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 8.8A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 570пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFU420PBF Транзистор полевой N-канальный 500В 2.4А 42Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 2.4A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 360пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFU9024PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 8.8А 42Вт Производитель: Vishay Корпус: I-Pak (TO-251AA) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 8.8A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 570пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

SI2323DS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.7А 1.25Вт Производитель: Vishay Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.7A Сопротивление открытого канала: 39 мОм Мощность макс.: 750мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 1020пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

5 364 шт

Цена от:

от 4,31₽

SI3437DV-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 150В 1.4A Производитель: Vishay Корпус: 6-TSOP Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 750 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"