Одиночные MOSFET транзисторы

₃₆

Заряд затвора: 32нКл

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3539)
Chassis Mount (9)
Through Hole (1905)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (36)

IRFR5505TRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 18A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

110 мОм

Мощность макс.:

57Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

32нКл

Входная емкость:

650пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

8 823 шт

Цена от:

от 24,77₽

IRFU5505PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 18A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-251

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

110 мОм

Мощность макс.:

57Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

32нКл

Входная емкость:

650пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

NTD20N06LT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 20A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK-3

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

48 мОм

Мощность макс.:

1.36Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

32нКл

Входная емкость:

990пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD24N06LT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 24A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

24A

Сопротивление открытого канала:

45 мОм

Мощность макс.:

1.36Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

32нКл

Входная емкость:

1140пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTGS4111PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 2.6А 2Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

6-TSOP

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

2.6A

Сопротивление открытого канала:

60 мОм

Мощность макс.:

630мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

32нКл

Входная емкость:

750пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4436DY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 8A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

36 мОм

Мощность макс.:

5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

32нКл

Входная емкость:

1100пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI5476DU-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 12A

Производитель:

Vishay

Корпус:

8-PowerPakВ® ChipFet

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

34 мОм

Мощность макс.:

31Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

32нКл

Входная емкость:

1100пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7114ADN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 35A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® 1212-8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

7.5 мОм

Мощность макс.:

39Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

32нКл

Входная емкость:

1230пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIS862DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 40A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® 1212-8

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

40A

Сопротивление открытого канала:

8.5 мОм

Мощность макс.:

52Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.6В

Заряд затвора:

32нКл

Входная емкость:

1320пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SPD08N50C3ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO252-3

Напряжение исток-сток макс.:

560В

Ток стока макс.:

7.6A

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

83Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В

Заряд затвора:

32нКл

Входная емкость:

750пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB15N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 14A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DBІPAK

Напряжение исток-сток макс.:

800В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

375 мОм

Мощность макс.:

190Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

32нКл

Входная емкость:

1100пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB9NK50ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 7.2A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

7.2A

Сопротивление открытого канала:

850 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

32нКл

Входная емкость:

910пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD70NS04ZL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 33В 70A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

33В

Ток стока макс.:

70A

Сопротивление открытого канала:

10.5 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

32нКл

Входная емкость:

1800пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STF40NF06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 23A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

23A

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

30Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

32нКл

Входная емкость:

920пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STP15N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 14A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

800В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

375 мОм

Мощность макс.:

190Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

32нКл

Входная емкость:

1100пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STW15N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 14A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-247

Напряжение исток-сток макс.:

800В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

375 мОм

Мощность макс.:

190Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

32нКл

Входная емкость:

1100пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68714 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"