Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (49)
FQPF5N40 Полевой транзистор, N-канальный, 400 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 460пФ Тип монтажа: Through Hole
FQU20N06LTU Транзистор полевой N-канальный 60В 17.2A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 17.2A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 630пФ Тип монтажа: Through Hole
FQU3N50CTU Транзистор полевой N-канальный 500В 2.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 365пФ Тип монтажа: Through Hole
FQU5N40TU Полевой транзистор, N-канальный, 400 В, 3.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 3.4A Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 460пФ Тип монтажа: Through Hole
IPA60R950C6XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 600В 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 4.4A Сопротивление открытого канала: 950 мОм Мощность макс.: 26Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 280пФ Тип монтажа: Through Hole
IPD60R950C6ATMA1 Транзистор полевой N-канальный 600В 4.4A TO252 Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 4.4A Сопротивление открытого канала: 950 мОм Мощность макс.: 37Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 280пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRFR9310PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 400В 1.8А 50Вт Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 7 Ом Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 270пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR9310TRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 400В 1.8А 50Вт Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 7 Ом Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 270пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR9310TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 400В 1.8А 50Вт Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 7 Ом Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 270пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRFU9310PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 400В 1.8А 50Вт Производитель: Vishay Корпус: I-Pak (TO-251AA) Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 7 Ом Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 270пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRLR8721PBF Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 65 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 65A Сопротивление открытого канала: 8.4 мОм Мощность макс.: 65Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 1030пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTGS3455T1G Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 2.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 480пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTLJS4114NT1G Транзистор полевой N-канальный 30В 3.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: 6-WDFN (2x2) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 650пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTMFS4823NT1G Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 6.9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6.9A Сопротивление открытого канала: 10.6 мОм Мощность макс.: 860мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 795пФ Тип монтажа: Surface Mount
PMN48XP,115 Транзистор полевой P-канальный 20В 4.1A 6-Pin TSOP лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 530мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.25В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Surface Mount
PSMN030-60YS,115 Транзистор полевой N-канальный Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 29A Сопротивление открытого канала: 24.7 мОм Мощность макс.: 56Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 686пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI2338DS-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 6 А Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 424пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4800BDY-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 30В 6.5A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6.5A Сопротивление открытого канала: 18.5 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В Заряд затвора: 13нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI4800BDY-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 30В 6.5A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6.5A Сопротивление открытого канала: 18.5 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В Заряд затвора: 13нКл Тип монтажа: Surface Mount
STD3N62K3 Транзистор полевой N-канальный 620В 2.7A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 620В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 385пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"