Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (46)
Акция
IRF7468PBF IRF7468PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 9.4А 2.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOIC8
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
9.4A
Сопротивление открытого канала:
15.5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
2460пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
306 шт
Цена от:
от 207,18
Акция
IRF9Z34PBF IRF9Z34PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 18А 88Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
140 мОм
Мощность макс.:
88Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
1100пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRF9Z34SPBF IRF9Z34SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 18A 3,7Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
140 мОм
Мощность макс.:
3.7Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
1100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFI9Z34GPBF IRFI9Z34GPBF Транзистор полевой P-канальный 60В 12A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
140 мОм
Мощность макс.:
42Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
1100пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRFR4105PBF IRFR4105PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 27А 48Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
27A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
68Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 359 шт
Цена от:
от 42,36
IRFR4105TRLPBF IRFR4105TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
27A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
68Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 359 шт
Цена от:
от 17,61
Акция
IRFR825PBF IRFR825PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
1.3 Ом
Мощность макс.:
119Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
1346пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFR825TRPBF IRFR825TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
1.3 Ом
Мощность макс.:
119Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
1346пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFZ34NSPBF IRFZ34NSPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 29A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
29A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
29A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRL530NSPBF IRL530NSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17А 3.8Вт, 0.1 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 484 шт
Цена от:
от 89,40
IRLI530NPBF IRLI530NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 12A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB Full-Pak
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
41Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRLR3410PBF IRLR3410PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17А 69Вт, 0.125 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
105 мОм
Мощность макс.:
79Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
4 198 шт
Цена от:
от 15,44
NDUL03N150CG NDUL03N150CG Полевой транзистор, N-канальный, 1500 В, 2.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(L)
Напряжение исток-сток макс.:
1500В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
10.5 Ом
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
650пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STB18NM60ND STB18NM60ND Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 13 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
290 мОм
Мощность макс.:
130Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
1030пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
STB6N62K3 STB6N62K3 Транзистор полевой N-канальный 620В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
620В
Ток стока макс.:
5.5A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
875пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD5NK60ZT4 STD5NK60ZT4 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 5 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
1.6 Ом
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
690пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD7N52K3 STD7N52K3 Транзистор полевой N-канальный 525В 6А 90Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
525В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
980 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
737пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
STF19NM50N STF19NM50N Транзистор полевой N-канальный 500В 14А 30Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
1000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP19NM50N STP19NM50N Транзистор полевой N-канальный 500В 14A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
1000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"